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J-GLOBAL ID:201902226157753208   整理番号:19A0658594

熱電応用のための高性能低コストn型SeドープMg_3Sb_2ベースZINTL化合物【JST・京大機械翻訳】

High-Performance Low-Cost n-Type Se-Doped Mg3Sb2-Based Zintl Compounds for Thermoelectric Application
著者 (6件):
資料名:
巻: 29  号: 12  ページ: 5371-5383  発行年: 2017年 
JST資料番号: T0893A  ISSN: 0897-4756  CODEN: CMATEX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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移動部品なしで直接熱を電気に変換することができる熱電材料は,廃熱回収のための有望な固体溶液を提供する。しかしながら,現在利用可能な市販の熱電材料PbTeとBi_2Te_3は,非常に少なく高価な元素であるテルルに基づいており,大規模な応用を妨げている。ここでは,構造と特性のキャラクタリゼーションを電子構造と電気輸送モデリングと組み合わせることにより,新しい低コストTeフリー材料,n型SeドープMg_3Sb_1.5Bi_0.5に関する系統的研究を提示した。純粋なMg_3Sb_2と比較して,SeドープMg_3Sb_1.5Bi_0.5は,かなり低い熱伝導率と同様に,かなり強化された力率を示した。優れた電気輸送は,6つの導電性キャリアポケットと光伝導率有効質量をもつ非自明な近エッジ伝導帯から生じ,2の谷縮退を伴う二次伝導帯からの弱い寄与と同様に,その効果がある。伝導帯極小の正確な位置をFermi面から明らかにした。これは電子輸送特性の理解に重要であると思われる。さらに,全熱伝導率は合理的に低い(725Kで~0.62Wm~-1K~-1)ことが分かった。結果として,Mg_3.07Sb_1.5Bi_0.48Se_0.02において,725Kで1.23の最適zTを得た。高zTと地球に富む成分元素は,低コストSeドープMg_3Sb_1.5Bi_0.5を中間温度熱電応用の有望な候補にする。さらに,系統的な電子構造と輸送モデリングは,この材料と他の関連するZintl化合物のさらなる最適化のための洞察を提供する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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その他の無機化合物の電気伝導 
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