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J-GLOBAL ID：201902226219400757   整理番号：19A1408439

効率的な平面ヘテロ接合ペロブスカイト太陽電池のためのロバストなElectron輸送層としてのUV焼結低温溶液処理SnO_2【JST・京大機械翻訳】

UV-Sintered Low-Temperature Solution-Processed SnO₂ as Robust Electron Transport Layer for Efficient Planar Heterojunction Perovskite Solar Cells

著者 (11件)： Huang Like (College of Electronic Information and Optical Engineering, Nankai University, The Tianjin Key Laboratory for Optical-Electronics Thin Film Devices and Technology, China) ,  Sun Xiaoxiang (College of Electronic Information and Optical Engineering, Nankai University, The Tianjin Key Laboratory for Optical-Electronics Thin Film Devices and Technology, China) ,  Li Chang (College of Electronic Information and Optical Engineering, Nankai University, The Tianjin Key Laboratory for Optical-Electronics Thin Film Devices and Technology, China) ,  Xu Jie (Department of Microelectronic Science and Engineering, Ningbo University, China) ,  Xu Rui (College of Electronic Information and Optical Engineering, Nankai University, The Tianjin Key Laboratory for Optical-Electronics Thin Film Devices and Technology, China) ,  Du Yangyang (College of Electronic Information and Optical Engineering, Nankai University, The Tianjin Key Laboratory for Optical-Electronics Thin Film Devices and Technology, China) ,  Ni Jian (College of Electronic Information and Optical Engineering, Nankai University, The Tianjin Key Laboratory for Optical-Electronics Thin Film Devices and Technology, China) ,  Cai Hongkun (College of Electronic Information and Optical Engineering, Nankai University, The Tianjin Key Laboratory for Optical-Electronics Thin Film Devices and Technology, China) ,  Li Juan (College of Electronic Information and Optical Engineering, Nankai University, The Tianjin Key Laboratory for Optical-Electronics Thin Film Devices and Technology, China) ,  Hu Ziyang (Department of Microelectronic Science and Engineering, Ningbo University, China) ,  Zhang Jianjun (College of Electronic Information and Optical Engineering, Nankai University, The Tianjin Key Laboratory for Optical-Electronics Thin Film Devices and Technology, China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 26  ページ： 21909-21920  発行年： 2017年07月05日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近では,効率的でロバストな平面ヘテロ接合(PH)ペロブスカイト太陽電池(PSC)用の汎用電子輸送層(ETL)としての低温溶液処理酸化スズ(SnO_2)は,高い光学的透明度,高い電子移動度,および適切なバンドアラインメントのような優れた特性のために特別な注目を集めている。しかし,ほとんどの報告された研究では,180°Cのアニーリング温度が一般的に必要である。この温度は,特に180°Cがポリエチレンテレフタル酸塩フレキシブル基板に対してまだ高すぎる柔軟な応用に関して,低温であると考えられている。本研究では,低温(約70°C)UV/オゾン処理を,ETLとしてフッ素ドープ酸化スズ基板上に堆積したSnO_2膜のその場合成に適用した。この方法は操作が簡単で有機成分を容易に除去できる簡単な光化学処理である。したがって,ETLとしてのUV焼結SnO_2膜によるPH PSCは初めて成功裏に作製された。この素子は16.21%の高い優れた光起電力性能を示し,溶液処理と高温アニールしたSnO_2膜をETLとした対応素子に対して報告されている値(11.49%)よりも高い。これらの低温溶液処理およびUV焼結SnO_2膜は,光電子デバイス用の柔軟な基板上の低コストで,大きな収率の溶液プロセスに適している。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 酸化スズ ,  *ヘテロ接合 ,  *焼結 ,  *ロバスト性 ,  ポリエチレン ,  焼なまし ,  高温 ,  光起電力 ,  *低温 ,  芳香族カルボン酸 ,  ジカルボン酸
準シソーラス用語： その場合成 ,  アニーリング温度 ,  電子輸送層 ,  *溶液処理 ,  *ペロブスカイト太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 二酸化スズ ,  UV照射 ,  低温処理 ,  電子輸送層 ,  ペロブスカイト太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

物質索引 (1件)： テレフタル酸

タイトルに関連する用語 (7件)： ヘテロ接合 ,  ペロブスカイト太陽電池 ,  ロバスト ,  輸送 ,  焼結 ,  低温 ,  溶液処理