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J-GLOBAL ID：201902226384401177   整理番号：19A2651926

単一カーボンナノチューブを用いたVO_2における絶縁体-金属転移の局在トリガ【JST・京大機械翻訳】

Localized Triggering of the Insulator-Metal Transition in VO₂ Using a Single Carbon Nanotube

著者 (13件)： Bohaichuk Stephanie M. (Department of Electrical Engineering, Stanford University, California, United States) ,  Munoz Rojo Miguel (Department of Electrical Engineering, Stanford University, California, United States) ,  Munoz Rojo Miguel (Department of Thermal and Fluid Engineering, University of Twente, The Netherlands) ,  Pitner Gregory (Department of Electrical Engineering, Stanford University, California, United States) ,  McClellan Connor J. (Department of Electrical Engineering, Stanford University, California, United States) ,  Lian Feifei (Department of Electrical Engineering, Stanford University, California, United States) ,  Li Jason (Asylum Research, California, United States) ,  Jeong Jaewoo (IBM Almaden Research Center, California, United States) ,  Samant Mahesh G. (IBM Almaden Research Center, California, United States) ,  Parkin Stuart S. P. (IBM Almaden Research Center, California, United States) ,  Wong H.-S. Philip (Department of Electrical Engineering, Stanford University, California, United States) ,  Pop Eric (Department of Electrical Engineering, Stanford University, California, United States) ,  Pop Eric (Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, California, United States)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 13  号： 10  ページ： 11070-11077  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二酸化バナジウム(VO_2)は,その豊富な物理的および潜在的応用のために広く研究されており,室温付近で顕著な絶縁体-金属転移(IMT)を受けている。遷移機構は非常に議論されており,ナノスケール寸法でのIMTについてはほとんど知られていない。この問題に光を当てるために,ここでは,VO_2中のIMTをトリガするために,約1nm幅のカーボンナノチューブ(CNT)ヒータを用いた。単一金属CNTは,300nmの素子長で約85μWの低いスイッチングパワーで,CNTなしの制御デバイスにより必要とされる電圧と電力の半分以下で,隣接VO_2をスイッチする。また,Kelvinプローブ顕微鏡と走査熱顕微鏡を用いて,動作中のデバイスの可能性と温度マップを得た。これらを三次元電熱シミュレーションと比較して,CNTによるVO_2の局所加熱がIMTにおいて重要な役割を果たすことを見出した。これらの結果は,ナノスケール加熱器を用いてVO_2中のIMTを誘発する能力を実証し,デバイス挙動を改善するための熱工学の重要性を強調した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 三次元 ,  *金属-絶縁体転移 ,  電力 ,  *絶縁体 ,  *カーボンナノチューブ ,  熱工学 ,  加熱器 ,  電圧 ,  走査 ,  スイッチング ,  制御装置
準シソーラス用語： 局部加熱 ,  熱シミュレーション ,  ナノスケール ,  二酸化バナジウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 二酸化バナジウム ,  絶縁体-金属転移 ,  カーボンナノチューブ ,  走査型プローブ顕微鏡

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  不均一系触媒反応  (CB06100E) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： カーボンナノチューブ ,  絶縁体-金属転移 ,  トリガ