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J-GLOBAL ID:201902226446490972   整理番号:19A1889200

金上のチオフェン誘導体と分子解離過程【JST・京大機械翻訳】

Thiophene Derivatives on Gold and Molecular Dissociation Processes
著者 (8件):
資料名:
巻: 121  号: 50  ページ: 27923-27935  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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金表面上のチオフェン誘導体の系統的研究を報告した。これらの分子は分子エレクトロニクスにおいて興味があり,デバイスにおけるチオフェン-電極界面の特性は電子輸送特性に影響すると理解される必要がある。いくつかの実験は,S-C結合切断が金属と接触して,電荷輸送に影響を及ぼすπ電子系の破壊をもたらすことを示した。それはまた,スプリットオフ化学吸着硫黄の存在によって影響される。一連のポリチオフェン分子(nT,n=1~4,6)に対して雲母上に成長させた単結晶Au(111)表面およびAu膜の場合について,α,ω-ジクテルチオフェン(DH4T)およびジヘキシルセキシチオフェン(DH6T)に対する光電子放出によってこの解離の様相を調べた。S2p X線光電子分光法ピークは,異なるコア準位結合エネルギー(CLBE)をもつS原子に対応する複雑な線形状をもつことが分かった。完全なAu(111)面上のチオフェンの種々の吸着配置について,吸着エネルギーとCLBEsの密度汎関数理論計算を行い,比較のために,Au吸着原子とS原子を組み込んだ,ビチオフェン,テルチオフェン,アルケニルチオール,アルケニルチオール鎖,および壊れたチオフェン関連金属サイクルについて計算を行った。これらの結果に基づいて,異なる吸着サイトと壊れた分子上の無傷分子へのS2pピークへの異なる寄与を関連づけた。特に計算により,無傷チオフェン(1T)に対するCLBEsは,文献における通常の仮定とは反対にアルケン及びアルカンチオールの場合と同じであることを示した。無傷チオフェンの存在は,近吸収端X線微細構造(NEXAFS)スペクトルにおける明確なπ共鳴ピークの存在により確認された。自発的解離は異なる試料において可変範囲に出現し,これをより多くのまたはより少ない数のステップと欠陥サイトの存在に暫定的に関連付けた。X線誘起ビーム損傷を260eV光子の強いシンクロトロンビームを用いて1Tと3Tについて調べ,S-C結合切断に関連するS2pスペクトルの変化を示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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高分子固体の物理的性質  ,  太陽電池  ,  チオフェン 
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