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J-GLOBAL ID：201902226551326629   整理番号：19A1469651

重いIV族単分子層における強磁性/反強磁性接合を通しての電場により誘起された巨大磁気抵抗と谷による支援【JST・京大機械翻訳】

Giant Seebeck magnetoresistance triggered by electric field and assisted by a valley through a ferromagnetic/antiferromagnetic junction in heavy group-IV monolayers

著者 (8件)： Zhai Xuechao (New Energy Technology Engineering Laboratory of Jiangsu Province & School of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications (NJUPT), Nanjing 210023, China) ,  Gu Junwei (New Energy Technology Engineering Laboratory of Jiangsu Province & School of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications (NJUPT), Nanjing 210023, China) ,  Wen Rui (College of Electronic and Optical Engineering, and College of Microelectronics, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, China) ,  Liu Ruo-Wen (College of Electronic and Optical Engineering, and College of Microelectronics, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, China) ,  Zhu Min (New Energy Technology Engineering Laboratory of Jiangsu Province & School of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications (NJUPT), Nanjing 210023, China) ,  Zhou Xingfei (New Energy Technology Engineering Laboratory of Jiangsu Province & School of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications (NJUPT), Nanjing 210023, China) ,  Gong L.-Y. (New Energy Technology Engineering Laboratory of Jiangsu Province & School of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications (NJUPT), Nanjing 210023, China) ,  Li Xing’ao (New Energy Technology Engineering Laboratory of Jiangsu Province & School of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications (NJUPT), Nanjing 210023, China)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 99  号： 8  ページ： 085421  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリセン,ゲルマニウム,およびスタネンを含む重いIV単分子層中の電子は,スピンと谷の自由度の適合性のために,豊富な物理を示す能力を持っている。ここでは,層間電場[数式:原文を参照]によりトリガされ,制御された価電子媒介巨大Seebeck磁気抵抗(MR)効果を,強磁性/反強磁性(FM/AFM)接合において,FMとAFM場が近接効果により誘起され,[数式:原文を参照]が局所的にAFM領域に適用されることを提案した。スピンバレー整合の特定のトンネリング機構に起因して,高い熱MR状態は,[数式:原文を参照]下の1つの谷からのほぼ純粋なスピン電流(電荷電流がない)をもつSeebeck状態によって支配され,一方,低い熱MR状態は,[数式:原文を参照]下の他の谷からのスピンフィルタ状態によって支配される。また,このような巨大Seebeck MR効果はFermi準位の小さな摂動に対してロバストであり,電子-正孔輸送対称性を変化させ,バンドを同調させることにより[数式:原文を参照]に敏感であることを実証した。更なる計算により,Seebeck MR効果は,純粋スピン電流状態が存在する場合でも,典型的にはFM/[数式:原文を参照]およびAFM/[数式:原文を参照]接合の他の磁気接合において比較的弱すぎることを示した。これらの知見は,将来のスピンカロリトロニック素子における,原子価支援熱磁気記憶および読み取り技術の開発における,重いIV単分子層に対する道を開く可能性がある。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *磁気 ,  電荷 ,  トンネル効果 ,  電流 ,  ゲルマニウム ,  *反強磁性 ,  *電場 ,  *単分子層 ,  *磁気抵抗 ,  近接効果 ,  Fermi準位 ,  *接合 ,  *強磁性
準シソーラス用語： スピン電流 ,  シリセン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 磁性理論  (BM06020X) ,  その他の無機化合物のNMR  (BM07043Z)

タイトルに関連する用語 (8件)： 単分子層 ,  強磁性 ,  反強磁性 ,  電場 ,  誘起 ,  巨大磁気抵抗 ,  谷 ,  支援