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J-GLOBAL ID：201902226630138067   整理番号：19A1704803

Agイオン照射CeO_2薄膜の磁気および電子構造【JST・京大機械翻訳】

Magnetic and electronic structures of Ag ion irradiated CeO₂ thin films

著者 (3件)： Kumar Pawan (Department of Physics, Government College for Women, Bawani Khera, India - 127032) ,  Chand F. (Department of Physics, Kurukshetra University, Kurukshetra, India - 136 119) ,  Asokan K. (Materials Science Division, Inter University Accelerator Centre, New Delhi, India - 110 067)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 2115  号： 1  ページ： 030529-030529-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,RFスパッタリング法によりSi(100)基板上に堆積したCeO_2薄膜の構造,形態,磁気および電子特性における120MeV Agイオン照射誘起改質の効果を調べた。CeO_2の単相とFCC構造はイオン照射後に保持された。これらの膜の形態の大きな変化が観察され,ナノ粒子のサイズは増加し,ヒロックの高さはイオン照射により減少した。室温強磁性はイオン照射後に増強されることが分かった。これらの膜の強磁性特性の増強は,X線吸収分光測定により調べたように,電子構造の変化と相関した。欠陥ベースのF中心交換機構を議論し,これらの膜の磁気的性質の変化を説明した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜 ,  *電子構造 ,  *磁気 ,  *イオン照射 ,  ナノ粒子 ,  強磁性 ,  X線吸収 ,  単相 ,  基板 ,  形態 ,  RFスパッタリング
準シソーラス用語： 室温強磁性 ,  ヒロック ,  FCC構造 ,  シリコン(100) , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： Agイオン ,  薄膜 ,  磁気 ,  電子構造