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J-GLOBAL ID：201902226645834152   整理番号：19A2114846

InSb基板上へのInSbとヘテロ構造の分子ビームエピタキシャル成長【JST・京大機械翻訳】

Molecular Beam Epitaxial Growth of InSb and AlSb Heterostructure on InSb Substrates

著者 (13件)： Ounpipat Jirapat (SDRL, Chulalongkorn University, Bangkok, Thailand) ,  Rattanawongnara Engrhyt (SDRL, Chulalongkorn University, Bangkok, Thailand) ,  Zon (SDRL, Chulalongkorn University, Bangkok, Thailand) ,  Thainoi Supachok (SDRL, Chulalongkorn University, Bangkok, Thailand) ,  Kiravittaya Suwit (AOT Lab., Naresuan University, Phitsanulok, Thailand) ,  Tandaechanurat Aniwat (ISE, Chulalongkorn University, Bangkok, Thailand) ,  Nuntawong Noppadon (NECTEC, NSTDA, Pathumthani, Thailand) ,  Sopitpan Suwat (TMEC, NSTDA, Chachoengsao, Thailand) ,  Yordsri Visittapong (MTEC, NSTDA, Pathumthani, Thailand) ,  Thanachayanont Chanchana (MTEC, NSTDA, Pathumthani, Thailand) ,  Kanjanachuchai Songphol (SDRL, Chulalongkorn University, Bangkok, Thailand) ,  Ratanathammaphan Somchai (SDRL, Chulalongkorn University, Bangkok, Thailand) ,  Panyakeow Somsak (SDRL, Chulalongkorn University, Bangkok, Thailand)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： CSW  ページ： 1-2  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (001)InSb基板上に成長させたエピタキシャルInSbとAISb層の表面形態を報告した。成長は分子線エピタクシーにより行った。平面結晶InSb層を実現する試みを行った。予備的に有望な結果を,その場反射高電子エネルギー回折と原子間力顕微鏡観察で得た。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *MBE成長 ,  結晶 ,  回折 ,  *エピタクシー ,  *アンチモン化インジウム
準シソーラス用語： 原子間力顕微鏡法 ,  電子エネルギー ,  表面形態 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 音声処理  (JE05000E) ,  無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (3件)： InSb ,  ヘテロ構造 ,  分子ビームエピタキシャル成長