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J-GLOBAL ID：201902226648864089   整理番号：19A1701455

強電場下におけるGaN系量子井戸中励起子の光学スペクトルの計算

著者 (2件)： 伊藤きらら (宇都宮大 大学院) ,  石田邦夫 (宇都宮大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 74  号： 1  ページ： ROMBUNNO.15pS-PS-19  発行年： 2019年03月22日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 高強度THz光による半導体量子井戸中励起子発光の増強[1]を始めとした,強電場下における励起子物性の制御が注目されている.なかでも青色LED材料として知られるGaN/InGaN系量子井戸においては,c軸方向の内部電場が発光阻害要因とされてお...【本文一部表示】

シソーラス用語： 電場 ,  電場効果 ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *量子井戸 ,  *励起子 ,  *スペクトル ,  発光スペクトル ,  テラヘルツ波 ,  光学スペクトル ,  高電場
準シソーラス用語： 強電場

分類 (2件)： 励起子  (BM02120E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 強電場 ,  GaN ,  量子井戸 ,  励起子 ,  光学スペクトル ,  計算