抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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固体金属電極|電解質溶液界面の間接的レーザ誘起温度ジャンプ(ILIT)法により生成される小さい急速な温度摂動(ILIT)法を用いて,高イオン強度(すなわち1.0M)の水性電解質溶液と接触したアルカンチオール自己集合単分子層により修飾したAu(111)電極表面のゼロ(全)電荷(E_pzc)とその温度誘導体[数式:原文を参照]を決定した。2つの異なるタイプのSAM(HS-(CH_2)_n-1CH_3(5≦n≦12,E_pzc=-(0.99±0.12)V対SSCE)またはHS-(CH_2)_nOH(3≦n≦16,E_pzc=(0.46±0.22)V対SSCE)に対して測定したE_pzcは,はるかに低い電解質溶液イオン強度で以前に測定したものとかなり異なった。HS-(CH_2)_n-1CH_3とHS-(CH_2)_NFC(Fcがフェロセンを参照する)から作られた混合単分子層では,E_pzcの差はFc部分の表面濃度([Fc])の関数として減少し,驚くほど小さい[Fc](~4.0×10~-11mol cm-2)で完全に消失した。これらの界面の接触電解質溶液表面に対して評価した表面電位(g_ml~S(ディップ))と共に,Au(111)|疎水性(ニート及び混合)SAM|水溶液界面に対するこれらの観察は,これらの分子の双極子の正味配向が存在するこれらの表面の水分子成分の構造と一致した。従って,これらの分子の負(酸素)末端はSAM表面に向かっている。親水性SAM(例えば,HS-(CH_2)_nOH)|水性電解質溶液界面から作製したg_ml~S(ディップ)の正値は,これらの界面の構造が疎水性界面の構造と類似していることを示した。しかし,g_ml~S(ディップ)は親水性界面に対するイオン強度の増加と共に減少するが,疎水性界面に対するイオン強度の増加と共に増加する。本研究で報告されたデータ(及び計算)及び疎水性(及び親水性)|水溶液界面の他の研究は,本研究で観察されたイオン強度の効果に対する完全な説明を支持するにはまだ不十分である。それにもかかわらず,本研究で決定した[数式:原文を参照](=(0.51±0.12)mV/K)の値に基づく分析は,本質的にHS-(CH_2)_n-1CH_3とHS-(CH_2)_nOHの両方から作られたSAMに対して,Au(111)表面上の関連金原子からアルカンチオールの硫黄原子への電子の部分電荷移動があることを示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
