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文献
J-GLOBAL ID:201902227105246424   整理番号:19A0552636

広バンドギャップトポロジカル絶縁体の電子およびスピン構造:ほぼ化学量論的な[数式:原文を参照]【JST・京大機械翻訳】

Electronic and spin structure of the wide-band-gap topological insulator: Nearly stoichiometric [Formula : see text]
著者 (27件):
資料名:
巻: 97  号: 20  ページ: 205113  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 2469-9950  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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化学量論的[数式:原文を参照]に非常に近い組成の[数式:原文を参照]をもつ相均一三元化合物を成長させた。スピンおよび角度分解光電子分光法および密度汎関数理論および[数式:原文を参照]計算により測定した結果,広いバンドギャップの三次元トポロジー絶縁体相が明らかになった。表面電子スペクトルは,バンドギャップに位置する価電子帯Fermi準位上に位置するDirac点を持つトポロジー的表面状態(TSS)によって特徴付けられる。TSSバンド分散と一定エネルギー輪郭は,[数式:原文を参照]線に沿った面内および面外スピン分極と共にFermi準位近くで弱いワーピング効果を示した。高い面内スピン分極をもつより深い結合エネルギーで4つの付加的状態を同定した。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体結晶の電子構造 

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