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J-GLOBAL ID：201902227231376180   整理番号：19A1375070

STEMモアレフリンジ法によるInP/InGaAs界面歪み分布計測

著者 (3件)： 陳桐民 (北陸先端科学技術大学院大) ,  大島義文 (北陸先端科学技術大学院大) ,  赤堀誠志 (北陸先端科学技術大学院大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.10p-S423-4  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： InP/InGaAs(001)界面に形成される二次元電子ガス(2DEG)では、電子移動度異方性やそのInGaAs組成依存性が報告されており、原因として異方的かつランダムな界面の歪みによるランダムピエゾエレクトリック散乱の可能性が指摘されてい...【本文一部表示】

シソーラス用語： *干渉縞 ,  リン化インジウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  *歪分布
準シソーラス用語： *STEM【顕微鏡】 ,  モアレ縞 ,  ヘテロ構造 ,  界面歪 ,  走査型透過電子顕微鏡

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： STEM ,  モアレ ,  InP ,  InGaAs ,  界面 ,  歪み分布 ,  計測