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J-GLOBAL ID：201902227238465786   整理番号：19A0181879

ハロゲン化鉛ペロブスカイトナノ結晶中のMn2+ドーピング:成功と挑戦【JST・京大機械翻訳】

Doping Mn²⁺ in Lead Halide Perovskite Nanocrystals: Successes and Challenges

著者 (4件)： Guria Amit K. (Department of Materials Science, Indian Association for the Cultivation of Science, India) ,  Dutta Sumit K. (Department of Materials Science, Indian Association for the Cultivation of Science, India) ,  Adhikari Samrat Das (Department of Materials Science, Indian Association for the Cultivation of Science, India) ,  Pradhan Narayan (Department of Materials Science, Indian Association for the Cultivation of Science, India)
資料名： ACS Energy Letters  (ACS Energy Letters)
巻： 2  号： 5  ページ： 1014-1021  発行年： 2017年 
JST資料番号： W5040A  ISSN： 2380-8195  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高エネルギー吸収半導体ホストナノ結晶にドープしたMn2+イオンは励起子エネルギーを取り,スピン分極d-d発光をもたらす。過去30年間,これはグループII-VI半導体について広く研究されてきた。最近,ドーピングをCsPbX_3ペロブスカイトナノ結晶に拡張した。光学遷移は類似の原理に従うが,励起子エネルギーがドーパントMn d状態に移動すると,ペロブスカイトへのドーピングはドーピングとドーパント誘起の新しい光学的性質のいくつかの新しい基本的側面を明らかにした。ここでは,バンドギャップをほとんど調整するアニオンがMn放出の出現の運命を制御した。また,ドーピング過程は従来の成長ドーピングと異なることが観察された。したがって,ペロブスカイトスカイトホストナノ結晶において,Mnドーピングのいくつかの側面が以前の発見と一致することが分かったが,いくつかの新しい事実も表面化した。すべてのこれらの事実を組み合わせて,この論文は,グループII-VI半導体からハロゲン化鉛ペロブスカイトスカイトナノ構造へのMnドーピングの移動に焦点を当て,妥当な将来の研究のための概要を提供する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *鉛 ,  半導体 ,  バンドギャップ ,  *ハロゲン化 ,  励起子 ,  *ナノ結晶 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  アニオン ,  *ドーピング ,  スピン分極 ,  発光 ,  ドーパント ,  *マンガン ,  光学的性質
準シソーラス用語： 光学遷移 ,  *マンガンイオン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (5件)： ハロゲン化鉛ペロブスカイト ,  ナノ結晶 ,  Mn2+ ,  ドーピング ,  成功