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J-GLOBAL ID：201902227323648248   整理番号：19A1607183

強化された耐久性のための逆行性チャネルプロファイルを持つプレーナ1.2kV SiC MOSFET【JST・京大機械翻訳】

Planar 1.2kV SiC MOSFETs with retrograde channel profile for enhanced ruggedness

著者 (10件)： Knoll L. (ABB Switzerland Ltd., Corporate Research, Baden-Daettwil, CH-5405, Switzerland) ,  Mihaila A. (ABB Switzerland Ltd., Corporate Research, Baden-Daettwil, CH-5405, Switzerland) ,  Wirths S. (ABB Switzerland Ltd., Corporate Research, Baden-Daettwil, CH-5405, Switzerland) ,  Arango Y. (ABB Switzerland Ltd., Corporate Research, Baden-Daettwil, CH-5405, Switzerland) ,  Prasmusinto A. (ABB Switzerland Ltd., Corporate Research, Baden-Daettwil, CH-5405, Switzerland) ,  Bianda E. (ABB Switzerland Ltd., Corporate Research, Baden-Daettwil, CH-5405, Switzerland) ,  Kranz L. (ABB Switzerland Ltd., Corporate Research, Baden-Daettwil, CH-5405, Switzerland) ,  Bellini M. (ABB Switzerland Ltd., Corporate Research, Baden-Daettwil, CH-5405, Switzerland) ,  Romano G. (ABB Switzerland Ltd., Corporate Research, Baden-Daettwil, CH-5405, Switzerland) ,  Papadopoulos C. (Semiconductors, ABB Switzerland Ltd., Lenzburg, CH-5600, Switzerland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ISPSD  ページ： 211-214  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1200V応用のために評価した炭化ケイ素(SiC)MOSFETの静的および動的性能を調べた。平面設計といくつかの異なるセルピッチを持つMOSFETを製作した。新しい逆行性ドーピングプロファイルを用いたチャネル設計に特別な注意を払った。参照のために,より一般的なボックスプロファイルチャネルも使用した。高電流と過電圧条件の下でのターンオフ測定は,MOSFETボディダイオードが広い安全な動作領域能力を提供することを明らかにした。MOSFETは,10μsの産業標準仕様に耐えることができる逆行チャネル設計により,長い短絡事象に対して例外的な耐久性を特徴とする。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *耐久性 ,  *チャネル ,  ターンオフ ,  *MOSFET ,  過電圧 ,  安全性 ,  炭化ケイ素
準シソーラス用語： 標準仕様 ,  大電流 ,  ドーピングプロファイル ,  SiC MOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 強化 ,  チャネル ,  プロファイル ,  プレーナ ,  SiC ,  MOSFET