文献

J-GLOBAL ID：201902227628023685   整理番号：19A2365018

基板上への移動のためのヒドロゲル毛細管における有機半導体の単結晶化【JST・京大機械翻訳】

Single Crystallization of an Organic Semiconductor in Hydrogel Capillaries for Transferring onto Substrates

著者 (5件)： Watanabe Satoshi (Faculty of Advanced Science and Technology, Kumamoto University, Kumamoto, Japan) ,  Urata Ryota (Faculty of Advanced Science and Technology, Kumamoto University, Kumamoto, Japan) ,  Sato Tetsuya (Faculty of Advanced Science and Technology, Kumamoto University, Kumamoto, Japan) ,  Ida Shintaro (Faculty of Advanced Science and Technology, Kumamoto University, Kumamoto, Japan) ,  Kunitake Masashi (Faculty of Advanced Science and Technology, Kumamoto University, Kumamoto, Japan)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 19  号： 6  ページ： 3410-3416  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヒドロゲルキャピラリー(ゲルキャピラリー結晶化法)を用いた有機半導体の単結晶化と移動技術を提案した。過飽和条件でC8-BTBT溶液を充填したガラス毛細管中での結晶成長により,C8-BTBTチオエノセン系有機半導体の単結晶を調製した。濃度と温度を調整することにより,選択的核形成は毛細管内の空気/液体界面でのみ誘起された。界面で発生した多重核から,多結晶C8-BTBTが界面近くに形成された。毛細管内での連続結晶成長により,結晶成長は毛細管内の一方向に沿って制御されるので,単結晶に変換することができた。また,単結晶成長は,アガロースゲルキャピラリー中の空気-液体界面で誘導され,それは,ガラス毛細管中のそれと同様に,プラスチックシートで穿孔することによって作られた。ゲルキャピラリー中で単結晶を形成した後,単結晶をキャピラリーから除去し,NaI溶液によるキャピラリーの溶解により固体基板上に移動させた。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヒドロゲル ,  プラスチックシート ,  多重化 ,  *結晶化 ,  *単結晶 ,  多結晶 ,  ヨウ化ナトリウム ,  過飽和 ,  結晶成長 ,  ガラス ,  *有機半導体 ,  核形成 ,  界面
準シソーラス用語： 単結晶成長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 有機化合物の結晶成長  (BK13070E) ,  固-液界面  (CB12050B)

物質索引 (1件)： C₈-BTBT

タイトルに関連する用語 (4件)： ヒドロゲル ,  毛細管 ,  有機半導体 ,  単結晶化