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J-GLOBAL ID：201902227830342546   整理番号：19A1414150

ジルコニウム酸チタン酸鉛膜の物理ベースDC寿命モデル【JST・京大機械翻訳】

Physically based DC lifetime model for lead zirconate titanate films

著者 (4件)： Garten Lauren M. (Department of Materials Science and Engineering and Materials Research Institute, The Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania 16802, USA) ,  Hagiwara Manabu (Department of Materials Science and Engineering and Materials Research Institute, The Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania 16802, USA) ,  Ko Song Won (Department of Materials Science and Engineering and Materials Research Institute, The Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania 16802, USA) ,  Trolier-McKinstry Susan (Department of Materials Science and Engineering and Materials Research Institute, The Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania 16802, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 12  ページ： 122903-122903-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O_3薄膜に対する正確な寿命予測は多くの応用にとって重要であるが,電流信頼性モデルはジルコニウム酸チタン酸鉛における抵抗劣化機構と一致しない。本研究では,化学溶液堆積(CSD)とスパッタPb(Zr_0.52Ti_0.48)O_3薄膜の信頼性と寿命を,高加速寿命試験(HALT)と漏れ電流-電圧(I-V)測定を用いて特性化した。温度依存HALT結果とインピーダンス分光法は,CSD膜では約1.2eV,スパッタ膜では0.6eVの活性化エネルギーを示した。電圧依存性HALTの結果は以前の報告と一致するが,デバイスの故障を引き起こすことは明確に示されていない。劣化をもたらす基礎となる物理的機構をより理解するために,I-Vデータは既知の伝導機構に適合し,Schottky放出は最良の適合性と現実的な抽出材料パラメータを持つ。基礎としてSchottky放出方程式を用いて,劣化の物理的機構に基づく非常に加速された試験条件下での寿命を予測するためのユニークなモデルを開発した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 薄膜 ,  信頼性 ,  電圧 ,  キャラクタリゼーション ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  電流 ,  適応性 ,  温度依存性 ,  活性化エネルギー ,  電圧依存性 ,  寿命予測 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： 材料パラメータ ,  伝導機構 ,  劣化機構 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  物理 ,  DC ,  寿命 ,  モデル