ヘテロ接合太陽電池直列抵抗成分を抽出し透明導電性酸化物接触抵抗率へのa-Si:H(I/P)を抽出するための解析モデルを用いた簡単な方法【JST・京大機械翻訳】

Wang Er-Chien; Morales-Vilches Anna B.; Neubert Sebastian; Cruz Alexandros; Schlatmann Rutger; Stannowski Bernd

文献

J-GLOBAL ID：201902227900850042 整理番号：19A2088058

ヘテロ接合太陽電池直列抵抗成分を抽出し透明導電性酸化物接触抵抗率へのa-Si:H(I/P)を抽出するための解析モデルを用いた簡単な方法【JST・京大機械翻訳】

A simple method with analytical model to extract heterojunction solar cell series resistance components and to extract the A-Si:H(i/p) to transparent conductive oxide contact resistivity

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資料名：
巻： 2147 号： 1 ページ： 040022-040022-6 発行年： 2019年
JST資料番号： D0071C ISSN： 0094-243X 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

シリコンヘテロ接合(SHJ)太陽電池技術は,4つの主要なプロセス段階だけで,その高効率と希薄生産プロセスにより,次の主流産業太陽電池設計の可能性を持っている。一方,2サイド接触SHJセルは,非常に高い開回路電圧(V_oc)>740mVを持つ一方,短絡電流密度(J_sc)とフィルファクタ(FF)において,それらはより低い傾向がある。このようなセルの直列抵抗(R_s)成分を理解することは,これらのセルが光吸収不動態化電極による二つの余分なTCO/a-Si/Si接触抵抗を有するために重要である。R_s成分寄与の減少はFFを改善するために不可欠である。本論文では,一般的な特性化法,すなわち,伝達長法(TLM)とCoxおよびトラック法を用いて,その成分に対して>23%の効率を有するSHJ太陽電池のR_sを破壊する簡単で簡単な解析モデルを報告した。非晶質シリコン(a-Si:H)固有/pドープスタックを通して,シリコンバルクから透明導電性酸化物(TCO)接触抵抗を導出した。これは,実験的SHJ太陽電池の結果から,フロントジャンクション,リール接合,およびフロントフィンガー数変化セットを用いて直接測定できないパラメータである。それは0.30±0.07Ωcm2であることを見出した。この値をさらに低減することは,SHJ太陽電池のFFを改善する鍵の一つである。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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