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J-GLOBAL ID：201902227937801204   整理番号：19A2371700

プラズマ電子デバイス用のSiドープGaAsへの両面非合金化Ohm接触【JST・京大機械翻訳】

Double-Sided Nonalloyed Ohmic Contacts to Si-doped GaAs for Plasmoelectronic Devices

著者 (5件)： Mano Takaaki (National Institute for Materials Science, Ibaraki, Japan) ,  Miyazaki Hideki T. (National Institute for Materials Science, Ibaraki, Japan) ,  Kasaya Takeshi (National Institute for Materials Science, Ibaraki, Japan) ,  Noda Takeshi (National Institute for Materials Science, Ibaraki, Japan) ,  Sakuma Yoshiki (National Institute for Materials Science, Ibaraki, Japan)
資料名： ACS Omega  (ACS Omega)
巻： 4  号： 4  ページ： 7300-7307  発行年： 2019年 
JST資料番号： W5044A  ISSN： 2470-1343  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子カスケードレーザとメタ表面光検出器のような金属-semiconductor-金属プラズマ電子デバイスの上部と底部の両方において,損失性中間層なしでオーム接触を形成する能力に対する要求が増加している。高度にSiをドープしたn-GaAs表面は合金化なしでOhm接触を可能にするが,基板を除去することにより内部に埋め込まれた他のn-GaAs表面への非合金化Ohm接触を実現する条件はまだ研究されていない。77Kまでの実質的に低い接触抵抗率を有する最初に埋め込まれた表面への非合金化Ohm接触が,特定の要件を満たすことにより実現でき,特にSiドーピング濃度を7.5×10~18~1.25×10~19cm-3の範囲に保ち,続く上部層の成長温度を530°Cの低値に設定できることを見出した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 量子カスケードレーザ ,  *合金化 ,  *プラズマ ,  *ヒ化ガリウム ,  *Ohm接触 ,  上層 ,  *ケイ素 ,  *ドーピング ,  光検出器 ,  金属
準シソーラス用語： 比接触抵抗 ,  中間層 ,  金属プラズマ ,  メタ表面 ,  *電子素子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 高分子固体の構造と形態学  (CG02022M)

タイトルに関連する用語 (8件)： プラズマ ,  電子デバイス ,  Si ,  ドープ ,  GaAs ,  両面 ,  合金化 ,  Ohm接触