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J-GLOBAL ID：201902228024019804   整理番号：19A2173908

グラフェン/Si混合次元van der Waalsヘテロ構造からの界面THz発生【JST・京大機械翻訳】

Interfacial THz generation from graphene/Si mixed-dimensional van der Waals heterostructure

著者 (7件)： Yao Zehan (Shaanxi Joint Lab of Graphene, State Key Lab Incubation Base of Photoelectric Technology and Functional Materials, International Collaborative Center on Photoelectric Technology and Nano Functional Materials, Institute of Photonics & Photon-Technology, Northwest University, Xi’an 710069, ...) ,  Huang Yuanyuan ,  Zhu Lipeng ,  Obraztsov Petr A. ,  Du Wanyi ,  Zhang Longhui ,  Xu Xinlong
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 11  号： 35  ページ： 16614-16620  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siは,現代のオプトエレクトロニクスにおいて最もコスト効率が高く,広く使用されている半導体であるが,その低いキャリアドリフト速度と反転層からの小さな飽和内蔵電場により,有効なTHzエミッタとは考えられない。ここでは,急速な飽和なしで高いキャリアドリフト速度をもつ電気ゲーティング下でフェムト秒レーザで励起したグラフェン/Si Schottky接合(GSSJ)を用いてTHz発生を増強する有効な方法を示した。この混合次元van der Waals界面は,Si表面上の自然酸化物を除去することにより,無効な反転層をもつ大きな飽和ポンプフルエンスを示す。GSSJからのTHz放出振幅はゲート電圧と共に効果的に増加した。同じ励起条件下でのGSSJからのTHz放射は,InAs(100)とGaAs(100)の表面からのそれよりも強い。結果は,GSSJからの効率的なTHz放射を示すだけでなく,混合次元van der Waals界面を調べるためのTHz発生の能力も実証した。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 接合 ,  ヒ化ガリウム ,  オプトエレクトロニクス ,  励起 ,  *ケイ素 ,  高速度 ,  電場 ,  *グラフェン ,  *界面 ,  半導体
準シソーラス用語： テラヘルツ放射 ,  ゲート電圧 ,  ゲーティング ,  キャリアドリフト ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 固-液界面  (CB12050B) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： グラフェン ,  Si ,  次元 ,  VAN ,  ヘテロ構造 ,  界面