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J-GLOBAL ID：201902228051467949   整理番号：19A1560278

ab initio計算に基づく電場下の清浄タングステン表面の局所仕事関数【JST・京大機械翻訳】

Local work functions of clean tungsten surfaces under electric fields based on ab initio calculations

著者 (4件)： Wang Yue (Department of Electrical and Biomedical Engineering, Hanyang University, Multidisciplinary Computational Laboratory, Seoul, South Korea) ,  Xu Liangliang (Department of Electrical and Biomedical Engineering, Hanyang University, Multidisciplinary Computational Laboratory, Seoul, South Korea) ,  Lin Ming-Chieh (Department of Electrical and Biomedical Engineering, Hanyang University, Multidisciplinary Computational Laboratory, Seoul, South Korea) ,  Leung Tsan-Chuen (Department of Physics, National Chung Cheng University, Taiwan, Republic of China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： IVEC  ページ： 1-2  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 真空管フィラメントに対する一般的な選択であるタングステンは,高温下で生き残り,電子の熱電子放出を与える。しかし,発光はその比較的高い仕事関数(約4.5eV)により大きく制限される。第一原理またはab initio計算を用いて,外部電場下でのタングステン(W)清浄(100),(110)および(111)表面の局所仕事関数を研究した。著者らは,局所密度近似(LDA)における密度汎関数理論(DFT)計算の収束性を系統的にテストし,平面波基底を用いた一般化勾配近似(GGA)は,Vienna Ab-initioシミュレーションパッケージ(VASP)に実装された射影子増強波法をセットした。いくつかの擬ポテンシャルを比較のために試験した。両側に印加した電場下のタングステンモデルを用いて,局所仕事関数の依存性と有効仕事関数を電界強度に対して調べた。熱電子放出に加えて,タングステンは電界放出(FE)電子源として使用されると考えられている。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  *仕事関数 ,  密度汎関数法 ,  電子源 ,  フィラメント ,  平面波 ,  第一原理 ,  電界放出 ,  *電場 ,  *タングステン ,  発光
準シソーラス用語： 擬ポテンシャル ,  局所密度近似 ,  外部電場 ,  *第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 計算 ,  電場 ,  タングステン ,  仕事関数