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J-GLOBAL ID:201902228250959184   整理番号:19A2770353

高出力中赤外量子カスケード半導体レーザ【JST・京大機械翻訳】

High-Power Mid-Infrared Quantum Cascade Semiconductor Lasers
著者 (8件):
資料名:
巻: 2019  号: IPC  ページ: 1-2  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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量子カスケードレーザ(QCL)は多重量子井戸(MQW)構造における伝導帯(CB)エネルギー状態間のサブバンド間遷移,隣接MQWステージ間のキャリアトンネリング,及び多重(30~50)ステージからのコヒーレント発光を用いる。バンド間遷移半導体レーザと異なり,QCLは中赤外波長範囲(λ=3~20μm)でAuger再結合により影響されない。従って,室温(RT)でのレーザ発振に容易に到達できる。しかし,多重ステージを用いると,高電圧(≧10V)に導き,これは,壁プラグ効率,η_wpを著しく減少させる。したがって,パルスRT運転は1996年に得られたが,2002年まではCW RT運転を達成し,2008年までは1W CW電力を得ることができた。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 
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