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J-GLOBAL ID：201902228287065973   整理番号：19A1837948

伸縮性シリコンにおける構造異方性【JST・京大機械翻訳】

Structural Anisotropy in Stretchable Silicon

著者 (11件)： Curtis Sabrina M. (Oak Ridge Associated Universities Fellowship Program, US Army Research Laboratory, 2800 Powder Mill Rd., Adelphi, MD, 20783, USA) ,  Curtis Sabrina M. (Department of Materials Science and Engineering, University of Maryland, College Park, MD, 20740, USA) ,  Tompkins Randy P. (Sensors and Electron Devices Directorate, US Army Research Laboratory, 2800 Powder Mill Rd., Adelphi, MD, 20783, USA) ,  Nichols Barbara M. (Sensors and Electron Devices Directorate, US Army Research Laboratory, 2800 Powder Mill Rd., Adelphi, MD, 20783, USA) ,  Graziano Milena B. (Oak Ridge Associated Universities Fellowship Program, US Army Research Laboratory, 2800 Powder Mill Rd., Adelphi, MD, 20783, USA) ,  Kierzewski Iain (Department of Materials Science and Engineering, University of Maryland, College Park, MD, 20740, USA) ,  Kierzewski Iain (General Technical Services LLC, 3100 138 Wall, NJ, 07719, USA) ,  Smith Gabriel (Sensors and Electron Devices Directorate, US Army Research Laboratory, 2800 Powder Mill Rd., Adelphi, MD, 20783, USA) ,  Leite Marina S. (Department of Materials Science and Engineering, University of Maryland, College Park, MD, 20740, USA) ,  Leite Marina S. (Institute for Research in Electronics and Applied Physics University of Maryland, College Park, MD, 20740, USA) ,  Lazarus Nathan (Sensors and Electron Devices Directorate, US Army Research Laboratory, 2800 Powder Mill Rd., Adelphi, MD, 20783, USA)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 5  号： 7  ページ： e1900003  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3D表面の周りに整合できるパターン化平面シリコン(Si)半導体構造は,太陽電池からディスプレイへのウェアラブルデバイスの有望な候補である。結晶性半導体の既知の異方性材料特性にもかかわらず,事前評価は等方性伸長可能な機械的挙動を仮定している。{100}単結晶Si面の機械的伸張挙動に及ぼす構造異方性の影響をモデルと実験により実証した。3D有限要素解析結果は,平面の高密度{111}族上に負荷された蛇紋岩が最大von Misesピーク応力を持つことを示し,これは面の{100}族上の〈100〉方向に作製されたものより20%高い。〈110〉と〈100〉結晶方位に平行に整列した(100)シリコン-オン-絶縁体ウエハから面内Si蛇行試験構造を放出するための作製プロセスを示した。放出された試験構造は,84%に菌株を収容することができる。Raman分光法を用いて,Si蛇紋岩の内部応力に及ぼす異方性効果を特性化した。Raman測定により,〈110〉と〈100〉Si蛇紋岩上の2つの異なる最大応力位置を確認し,2つの異なる破壊位置をもたらした。すべての結果は,異方性が伸長可能なSi蛇紋岩の機械的挙動において重要な役割を果たし,伸縮性半導体構造の設計の間に考慮されなければならないことを示している。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 太陽電池 ,  キャラクタリゼーション ,  結晶度 ,  結晶方位 ,  *異方性 ,  *ケイ素 ,  三次元 ,  表示装置 ,  等方性 ,  蛇紋岩 ,  半導体 ,  延伸 ,  蛇行 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 最大応力 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 異方性 ,  顕微Raman分光法 ,  蛇行 ,  シリコン ,  伸縮性半導体

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 伸縮性 ,  シリコン ,  構造異方性