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J-GLOBAL ID：201902228350680580   整理番号：19A2089105

水熱法により成長させたBa_xSr_1-xTiO_3薄膜に基づく抵抗性ランダムアクセスメモリの抵抗スイッチング特性【JST・京大機械翻訳】

Resistive Switching Characteristics of Resistive Random Access Memory Based on a Ba_xSr_1-xTiO₃ Thin Film Grown by a Hydrothermal Method

著者 (10件)： Zhu Jie (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China) ,  He Jing (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China) ,  Lu Jingjing (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China) ,  Ma Changcheng (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China) ,  Tao Xiongfei (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China) ,  Liu Weizhong (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China) ,  Feng Zhuoming (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China) ,  Chang Li (Huazhong University of Science and Technology Library, Wuhan, China) ,  Li Yuanyuan (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China) ,  Hu Zuoqi (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 40  号： 9  ページ： 1411-1414  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)は,新しい不揮発性メモリ技術のための最も有望な候補の一つである。RRAM,特にペロブスカイト酸化物膜における多酸化膜の抵抗スイッチング(RS)機構を調べるために多くの努力がなされている。このレターでは,RRAMセルにおける上部Pt電極と底部窒化チタン/Pt電極間に挟まれたペロブスカイト中間層としてBa_xSr_1-xTiO_3チタン酸バリウム(BST)薄膜を調製するために水熱法を採用した。電流-電圧測定に基づいて,その結果は典型的なバイポーラRS特性を示し,サイクル数の増加とともに,時計回りスイッチングモードは反時計スイッチングモードに変換した。二重対数電流-電圧曲線は,セットとリセット状態の両方において,オーム伝導と空間電荷制限電流を含む異なる機構を示した。RS挙動がBSTにおける酸素空格子点(V_O)の運動によって支配される導電性フィラメント(CF)モデルを採用した。さらに,コンプライアンス電流と最大電圧の影響を考慮した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  電圧 ,  コンプライアンス ,  空間電荷制限電流 ,  対数 ,  白金 ,  不揮発性メモリ ,  電流 ,  *薄膜
準シソーラス用語： 導電性フィラメント ,  酸素空格子点 ,  バイポーラ ,  窒化チタン ,  ReRAM ,  *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水熱法 ,  成長 ,  薄膜 ,  抵抗性 ,  ランダムアクセスメモリ ,  スイッチング特性