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J-GLOBAL ID：201902228364758604   整理番号：19A0551651

AuインターカレーションによるRu(0001)上のグラフェンにおける電子構造変調の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First-principles study of electronic structure modulations in graphene on Ru(0001) by Au intercalation

著者 (4件)： Nishidate Kazume (Department of Systems Innovation Engineering, Faculty of Science and Engineering, Iwate University, Morioka 020-8551, Japan) ,  Tanibayashi Satoru (Department of Engineering for Future Innovation, National Institute of Technology, Ichinoseki College, Ichinoseki 021-8511, Japan) ,  Yoshimoto Noriyuki (Department of Physical Science and Materials Engineering, Faculty of Science and Engineering, Iwate University, Morioka 020-8551, Japan) ,  Hasegawa Masayuki (Professor Emeritus, Iwate University, Morioka 020-8550, Japan)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 97  号： 11  ページ： 115437  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論に基づく第一原理計算を用いて,AuインターカレーションによるRu(0001)上のグラフェンの電子構造変調を調べた。最初に格子整合モデルを用いて,十分に強いA-B副格子対称性破れによりグラフェンにかなりのバンドギャップが誘起されることを実証した。このバンドギャップ開口はグラフェンπ状態とAu状態の間の混成がない場合でも起こり,グラフェンとAu層の間の小さな分離(d)に対して強い副格子非対称性が確立され,典型的には低いAu被覆率で実際に達成できる。格子不整合モデルを用いて模倣される現実的な状況では,Dirac点近傍のグラフェンπ状態はvan der Waals距離,[数式:原文を参照]に対しても近傍(エネルギー)Au状態と容易に混成し,この混成は通常グラフェンのバンドギャップ開口を規定する。その場合,無傷のDirac円錐の上部部分はハイブリダイゼーションを生き残り,混成ギャップ内の中間ギャップ状態を形成するために分離され,バンドギャップが副格子対称性破れによって誘起されることを否定する。バンドギャップ開口のこの特徴は,炭化ケイ素(SiC)上のいわゆる「第一」グラフェン層で見られるものと類似しており,予測バンドギャップとドーピングレベルはグラフェン/Au/Ru(0001)の実験と良く一致した。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *金 ,  開口 ,  密度汎関数法 ,  ドーピング ,  バンドギャップ ,  *グラフェン ,  対称性の破れ ,  計算 ,  *インターカレーション ,  *電子構造 ,  炭化ケイ素 ,  *第一原理 ,  副格子 ,  エネルギー ,  モデル ,  第一原理計算

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (8件)： Au ,  インターカレーション ,  Ru ,  グラフェン ,  電子構造 ,  変調 ,  第一原理 ,  研究