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J-GLOBAL ID：201902228486555138   整理番号：19A1775175

CVD成長単分子層MOS_2におけるトラップの熱刺激電流分光法【JST・京大機械翻訳】

Thermally stimulated current spectroscopy of traps in CVD grown monolayer MoS₂

著者 (5件)： Deb Swarup (Department of Physics, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai 400076, India) ,  Chakrabarti Poulab (Department of Physics, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai 400076, India) ,  Chakraborti Himadri (Department of Physics, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai 400076, India) ,  Das Gupta Kantimay (Department of Physics, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai 400076, India) ,  Dhar Subhabrata (Department of Physics, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai 400076, India)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 115  号： 3  ページ： 032104-032104-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱刺激電流(TSC)分光法を用いて大面積単層MoS_2膜の欠陥を調べた。マイクロキャビティベースの化学蒸着法を用いてc-サファイア基板上に膜を成長させた。二次元半導体のTSCデータを解析する理論的枠組みを開発した。本研究は,670と850meVの平均活性化エネルギーを有する2つのトラップの存在を明らかにした。これらのトラップの密度は,真空中での繰返し熱サイクルを通して試料が入るにつれて,飽和が続く増加を示す。興味あることに,試料を十分長時間環境条件に曝露すると,密度はその初期レベルに戻り,これらの欠陥が周囲条件にある特定の吸着質基/分子により不動態化されることを示唆した。硫黄環境中でのアニーリングはこれらのトラップの濃度を実質的に減少させることが分かった。これはトラップが硫黄欠乏関連欠陥に関連していることを示している。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *熱刺激電流 ,  熱サイクル ,  単一層 ,  微小共振器 ,  活性化エネルギー ,  化学蒸着 ,  *単分子層 ,  硫黄 ,  焼なまし ,  *スペクトロスコピー ,  不動態化
準シソーラス用語： 硫黄欠乏 ,  二次元半導体 ,  サファイア基板 ,  大面積 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： CVD ,  成長 ,  単分子層 ,  トラップ ,  熱刺激電流 ,  分光法