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J-GLOBAL ID：201902228603614805   整理番号：19A1453126

自己バイアスPMOSによる低オン状態電圧超接合IGBTのシミュレーション研究【JST・京大機械翻訳】

Simulation Study of a Low ON-State Voltage Superjunction IGBT With Self-Biased PMOS

著者 (3件)： Huang Jun (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Huang Haimeng (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Chen Xing Bi (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 66  号： 7  ページ： 3242-3246  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,新しい超接合(SJ)絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(SJ-IGBT)を提案し,シミュレーションにより研究した。そこでは,Pピラー領域上の浮遊Nベース領域を導入して,自己バイアスPMOSを形成した。オン状態では,PMOSはPピラー領域の正孔準Fermiポテンシャルを増加させ,NピラーとPピラー領域におけるキャリア蓄積効果を増強し,オン状態電圧を減少させる。ターンオフ過渡において,PMOSはホール蓄積によるPピラー領域の電位上昇の結果として自動的に回転できるので,提案したSJ-IGBTは急速にターンオフできる。TCADシミュレーションからの結果は,提案したSJ-IGBTのオン状態電圧が,カソードで短絡した従来のSJ-IGBT(SJ-IGBT-A)のそれより46.7%低く,Pピラー上のゲートを持つ従来のSJ-IGBT(SJ-IGBT-B)とほぼ同等であることを明らかにした。さらに,提案したSJ-IGBTのオフ状態破壊電圧は,SJ-IGBT-Aのそれとほぼ同じ値を保つことができ,SJ-IGBT-Bのそれより25%高い。加えて,1.16Vの同じV_ONによって,提案した装置のターンオフエネルギー損失は1.2mJ/cm2であり,それはSJ-IGBT-Aのそれより94.7%低くて,SJ-IGBT-Bのそれより20%低かった。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *シミュレーション ,  カソード ,  *IGBT ,  高速度 ,  *電圧 ,  ターンオフ ,  電位 ,  浮遊 ,  正孔
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  オフ状態 ,  TCAD ,  *超接合 ,  *オン状態 ,  *PMOS構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 自己バイアス ,  PMOS ,  オン状態 ,  超接合 ,  IGBT ,  シミュレーション ,  研究