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J-GLOBAL ID：201902228637043921   整理番号：19A1490293

パワー半導体の並列会合:IGBTとMOSFETによる実験的評価【JST・京大機械翻訳】

Parallel Association of Power Semiconductors: An Experimental Evaluation with IGBTs and MOSFETs

著者 (6件)： C.Sousa Tiago J. (ALGORITMI Research Centre University of Minho Guimaraes, Portugal) ,  Monteiro Vitor (ALGORITMI Research Centre University of Minho Guimaraes, Portugal) ,  Nova Bruno (ALGORITMI Research Centre University of Minho Guimaraes, Portugal) ,  Passos Frederico (ALGORITMI Research Centre University of Minho Guimaraes, Portugal) ,  Cunha Jose (ALGORITMI Research Centre University of Minho Guimaraes, Portugal) ,  Afonso Joao L. (ALGORITMI Research Centre University of Minho Guimaraes, Portugal)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： YEF-ECE  ページ： 8-13  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,電力半導体の並列接続に関する研究を提示した。本論文の主目的は,低定格電力半導体の並列接続が,経済的および動的性能,すなわちスイッチング挙動と半導体温度の両方の観点から,単一の高定格電力半導体の使用よりも有利であることを実証することである。これに関連して,2つの異なる電力半導体技術を試験した。(1)絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT);(2)金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)。各技術に対して,採用した方法は,単一の高定格電力半導体の動的性能を検証することから成り,それを,デバイス間の電流共有に焦点を合わせて,5つの並列接続低定格電力半導体のセットの動的性能と比較した。得られた実験結果は,低定格電力半導体の並列接続が,ある電力レベル以上の単一高定格電力半導体の使用に対して有利であり,良好なスイッチング特性と低コストを提供することを実証した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 定格 ,  電力 ,  並列接続 ,  MOSFET ,  *IGBT ,  電流 ,  電力トランジスタ ,  スイッチング ,  *半導体 ,  FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： ローコスト ,  スイッチング特性 ,  電力レベル ,  半導体技術 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  信号理論  (ND02020G) ,  電力系統一般  (NB02000E)

タイトルに関連する用語 (6件)： パワー半導体 ,  会合 ,  IGBT ,  MOSFET ,  実験 ,  評価