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J-GLOBAL ID：201902228645467271   整理番号：19A1453103

簡単な超音波支援法を用いたナノ複合層(AgドープZnO/PVP)によるAu/n-Si(MS)ダイオードの構造的および電気的性質【JST・京大機械翻訳】

The Structural and Electrical Properties of the Au/n-Si (MS) Diodes With Nanocomposites Interlayer (Ag-Doped ZnO/PVP) by Using the Simple Ultrasound-Assisted Method

著者 (3件)： Altindal S. (Physics Department, Faculty of Sciences, Gazi University, Ankara, Turkey) ,  Sevgili O. (Physics Department, Faculty of Sciences, Gazi University, Ankara, Turkey) ,  Azizian-Kalandaragh Y. (Physics Department, Faculty of Sciences, University of Mohaghegh Ardabili, Ardabil, Iran)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 66  号： 7  ページ： 3103-3109  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Au/AgドープZnO/ポリビニルピロリドン(PVP)/n-Si[金属-高分子-半導体(MPS)]Schottky障壁ダイオード(SBD)を作製した。AgドープZnO/PVPナノ複合材料の構造特性をX線回折(XRD),走査電子顕微鏡(SEM)およびエネルギー分散X線(EDX)分析により調べた。XRDパターンは,試料が高純度ZnOとAg材料を有し,他のピークを観測しないことを示した。ナノ粒子の平均結晶子サイズをDebye-Schererの式を用いて計算し,測定したサイズは小さなナノ結晶の形成を明確に示した。SEMとEDXの結果はシート状ZnOナノ構造を示し,非化学量論比のZn,O,Ag材料の存在を確認した。MPS型SBDの理想因子(n),ゼロバイアス障壁高さ(Φ_B0)および直列抵抗(R_S)の値を,熱電子放出(TE)およびCheung関数の両方から得て,それらの間の観察されたいくつかの矛盾は,これらのパラメータの電圧依存性および計算方法の性質に起因した。表面状態(N_ss)の値は(E_c-0.44)eVで2.2×10~13eV~-1cm-2から(E_c-0.69)eVで8.19×10~12eV~-1cm-2に変化し,これらの値はMPS型SBDにより適していた。ドーピング-ドナー原子(N_D),空乏層幅(W_D)およびΦ_B[容量-電圧(C-V)]の値を,周波数の関数として逆バイアスC~-2-Vプロットから得た。N_Dの値は周波数の増加とともに減少するが,W_Dは指数関数的に増加する。しかしながら,Φ_B(C-V)とln(f)の間には良い関係がある。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子顕微鏡観察 ,  電圧 ,  X線 ,  *酸化亜鉛 ,  ドナー ,  非化学量論 ,  *ドーピング ,  *ナノ複合材料 ,  X線回折 ,  ナノ結晶 ,  ナノ構造 ,  半導体 ,  空乏層 ,  *銀
準シソーラス用語： 逆バイアス ,  理想因子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (11件)： 超音波 ,  支援 ,  複合層 ,  Ag ,  ドープ ,  ZnO ,  PVP ,  Au ,  Si ,  ダイオード ,  電気的性質