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J-GLOBAL ID：201902228666697868   整理番号：19A0129344

原子層堆積により成長させたZnO/AlN積層ナノ膜ナノ発電機の強化圧電性能【JST・京大機械翻訳】

Enhanced piezoelectric performance of the ZnO/AlN stacked nanofilm nanogenerator grown by atomic layer deposition

著者 (9件)： Zhu Li-Yuan (State Key Laboratory of ASIC and System, Shanghai Institute of Intelligent Electronics and Systems, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Yang Jian-Guo (State Key Laboratory of ASIC and System, Shanghai Institute of Intelligent Electronics and Systems, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Yuan Kaiping (State Key Laboratory of ASIC and System, Shanghai Institute of Intelligent Electronics and Systems, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Chen Hong-Yan (State Key Laboratory of ASIC and System, Shanghai Institute of Intelligent Electronics and Systems, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Wang Tao (State Key Laboratory of ASIC and System, Shanghai Institute of Intelligent Electronics and Systems, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Ma Hong-Ping (State Key Laboratory of ASIC and System, Shanghai Institute of Intelligent Electronics and Systems, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Huang Wei (State Key Laboratory of ASIC and System, Shanghai Institute of Intelligent Electronics and Systems, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Lu Hong-Liang (State Key Laboratory of ASIC and System, Shanghai Institute of Intelligent Electronics and Systems, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Zhang David Wei (State Key Laboratory of ASIC and System, Shanghai Institute of Intelligent Electronics and Systems, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China)
資料名： APL Materials (Web)  (APL Materials (Web))
巻： 6  号： 12  ページ： 121109-121109-8  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7122A  ISSN： 2166-532X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlNの正確に制御された中間層を有するZnOベースのナノ発電機(NG)を,原子層堆積技術に基づいて作製した。それは,増強された出力信号を有することが証明された。調製されたZnO/AlN積層層の微細構造と組成プロファイルは,最初に特性化された。ZnO/AlN積層ナノ膜NGの圧電性能はAlNの厚さに強く依存することが分かった。最適2.3nm厚のAlN中間層を用いて,4.0Vの最大圧電開回路出力電圧と2.42μWの出力パワーを達成した。また,NGsの圧電出力は,圧縮力の値と周波数に関係する。積層構造における圧電性能の改善のための固有の機構を十分に議論した。この知見は,ZnOベースのNGの性能を向上させるための簡単で,安価で効果的なアプローチを提供することが期待される。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *圧電気 ,  *窒化アルミニウム ,  微細構造 ,  *酸化亜鉛 ,  積層構造 ,  キャラクタリゼーション ,  開路 ,  *ナノシート
準シソーラス用語： 低価格 ,  圧縮力 ,  出力電圧 ,  出力信号 ,  中間層 ,  *圧電特性 ,  *ナノ発電機 ,  *ナノ薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  エネルギー変換装置  (LC01020U) ,  圧電デバイス  (NC03110I) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (8件)： 原子層堆積 ,  成長 ,  ZnO ,  AlN ,  ナノ膜 ,  ナノ発電機 ,  強化 ,  圧電