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J-GLOBAL ID：201902228774043494   整理番号：19A1465341

面内強誘電トンネル接合【JST・京大機械翻訳】

In-Plane Ferroelectric Tunnel Junction

著者 (4件)： Shen Huitao (Department of Physics, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  Liu Junwei (Department of Physics, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Hong Kong, China) ,  Chang Kai (Max Planck Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, 06120 Halle (Saale), Germany) ,  Fu Liang (Department of Physics, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA)
資料名： Physical Review Applied  (Physical Review Applied)
巻： 11  号： 2  ページ： 024048  発行年： 2019年 
JST資料番号： W3691A  ISSN： 2331-7019  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性メモリの実現のためには,強誘電体マスターが重要なプラットフォームである。これまで,既存の強誘電体メモリ素子は強誘電体薄膜の面外分極を利用してきた。本論文では,「面内強誘電体トンネル接合」と呼ばれる面内分極を有する強誘電体薄膜に基づく一種のランダムアクセスメモリ(RAM)を提案した。従来の動的RAMと比較して,非揮発性,低電力使用,および高速書込み操作とは別に,著者らの提案は,より速い読み取り操作および非破壊読み取りプロセスの利点を有し,したがって,現在の強誘電体RAMに広く存在する書込み後の問題を克服した。最近発見された室温強誘電体IV-VI半導体薄膜は,著者らの提案の実現のための有望な材料プラットフォームである。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 非揮発性 ,  FeRAM ,  高速度 ,  *トンネル接合 ,  分極 ,  強誘電体 ,  RAM【メモリ】 ,  半導体薄膜 ,  不揮発性メモリ
準シソーラス用語： 低電力化 ,  強誘電体薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (1件)： トンネル接合