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J-GLOBAL ID：201902228834938154   整理番号：19A1413954

ナノテンプレート高品質単分子層MOS_2の均一大面積成長【JST・京大機械翻訳】

Uniform large-area growth of nanotemplated high-quality monolayer MoS₂

著者 (13件)： Young Justin R. (Department of Physics, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA) ,  Chilcote Michael (Department of Physics, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA) ,  Barone Matthew (Department of Materials Science and Engineering, University of Virginia, Charlottesville, Virginia 22904, USA) ,  Xu Jinsong (Department of Physics, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA) ,  Katoch Jyoti (Department of Physics, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA) ,  Luo Yunqiu Kelly (Department of Physics, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA) ,  Mueller Sara (Department of Physics, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA) ,  Asel Thaddeus J. (Department of Physics, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA) ,  Fullerton-Shirey Susan K. (Department of Chemical and Petroleum Engineering, University of Pittsburgh, Pittsburgh, Pennsylvania 15213, USA) ,  Kawakami Roland (Department of Physics, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA) ,  Gupta Jay A. (Department of Physics, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA) ,  Brillson Leonard J. (Department of Physics, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA) ,  Johnston-Halperin Ezekiel (Department of Physics, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 26  ページ： 263103-263103-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過去10年にわたって,表面相互作用に対する2D結晶の極端な感度が,表面機能化と2Dヘテロ構造の機械的集合を通して材料特性を調整するユニークな機会を示すことが明らかになった。しかし,この機会は,これらの原子的に薄い材料を洗浄することの困難さによって悪化する標準パターン形成技術によって導入された表面汚染に対する増強された感度の同時課題を持っている。ここでは,Moが100nmまでの特徴サイズをもつSiNステンシルを通して原子的にステップされたサファイア基板上に蒸着され,その後高温で硫化される鋳型MoS_2成長技術を報告する。これらの膜は,他の方法で調製された最良のMoS_2に匹敵する品質を有し,得られたMoS_2パターンの厚さは,初期Mo堆積を制御することにより,層毎に調整できる。膜の品質と厚さを走査電子,走査トンネリング,原子間力顕微鏡で確認した。Raman,光ルミネセンスおよびX線光電子分光法;電子輸送測定。このアプローチにより,官能化と機械的積層によるその後の修飾に適した元の表面を持つパターン化した単層MoS_2膜の作製が可能になった。さらに,この成長技術は遷移金属ジカルコゲニドのファミリー内で広く適用できると予想した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光ルミネセンス ,  パターン形成 ,  結晶 ,  ステンシル版 ,  走査 ,  官能化 ,  *単分子層 ,  トンネル効果 ,  モリブデン ,  高温 ,  *品質 ,  二次元
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  *大面積 ,  *ナノテンプレート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノテンプレート ,  高品質 ,  単分子層 ,  大面積 ,  成長