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J-GLOBAL ID：201902228973940898   整理番号：19A2835297

種々の温度での横方向非局所スピンバルブ測定によるGaAs(111)B上のMnAs/GaAs/InAsハイブリッド系におけるスピン注入と検出【JST・京大機械翻訳】

Spin injection and detection in MnAs/GaAs/InAs hybrid system on GaAs(111)B through lateral non-local spin valve measurement at varied temperature

著者 (3件)： Islam Md. Earul (Center for Nano Materials and Technology (CNMT), Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, Japan) ,  Hayashida Kazuki (Center for Nano Materials and Technology (CNMT), Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, Japan) ,  Akabori Masashi (Center for Nano Materials and Technology (CNMT), Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 9  号： 11  ページ： 115215-115215-6  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1.5Kと77Kでの横方向非局所スピンバルブ(NLSV)測定により,GaAs(111)B上のMnAs/GaAs/InAsハイブリッド系におけるスピン注入と検出を成功裏に確認した。驚くべきことに,77Kで1.5Kでより大きなNLSV信号を見出した。これは典型的な温度依存スピン注入および検出研究と比較して興味深い挙動であると思われる。ハイブリッド系におけるスピン拡散長とスピン注入効率のようなスピンパラメータを抽出するために,NLSV信号を深く調べた。スピン拡散長は1.5Kと77Kでそれぞれ~10μmと~7μmであり,スピン注入効率は1.5Kと77Kでそれぞれ~1.6%と~2.5%であることが分かった。77Kでのより高い注入効率の背後にある理由は,MnAsとInAsの間のより良いインピーダンス整合から77KでのMnAs抵抗率の大きな温度変化による1.5Kでのそれよりも生じた。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気抵抗率 ,  *ヒ化ガリウム ,  温度依存性 ,  温度変動 ,  *ヒ化インジウム ,  スピン拡散 ,  ハイブリッド系 ,  インピーダンス整合
準シソーラス用語： スピン注入 ,  *スピンバルブ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 横方向 ,  スピンバルブ ,  GaAs ,  InAs ,  ハイブリッド系 ,  スピン注入