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J-GLOBAL ID:201902228976793113   整理番号:19A0661168

優れた光検出器に向けた光-物質相互作用を増強した遷移金属ジカルコゲナイド二分子層の熱歪バンドギャップ工学【JST・京大機械翻訳】

Thermally Strained Band Gap Engineering of Transition-Metal Dichalcogenide Bilayers with Enhanced Light-Matter Interaction toward Excellent Photodetectors
著者 (17件):
資料名:
巻: 11  号:ページ: 8768-8776  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2326A  ISSN: 1936-0851  CODEN: ANCAC3  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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デバイス性能を向上させるために,二次元(2D)材料の歪工学の統合は依然として課題である。ここでは,2D材料とパターン化サファイア構造の間の異なる熱膨張係数により,遷移金属ジカルコゲナイド二分子層の熱歪バンドギャップ工学を実証した。ここで,MoS_2二重層を実証材料として選択した。特に,MoS_2二重層のバンドギャップの青方偏移は調整可能であり,より小さい駆動バイアス下で電極に向かって電子を駆動する異常な能力を示し,結果をシミュレーションにより確認した。合成中のMoS_2二分子層における熱歪を説明するモデルを提案し,異なる角度をもつパターン化サファイア構造上のバンドギャップシフト挙動を正確に予測することを可能にした。さらに,コーンおよびピラミッドパターン化サファイア基板上の歪MoS_2に基づいて,それぞれ286%および897%の増強を有する光検出器を実証した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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トランジスタ  ,  半導体結晶の電子構造 

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