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J-GLOBAL ID：201902229041548478   整理番号：19A1375715

縦型2DHGダイヤモンドMOSFET;ゲート幅10mmでの大電流動作(~1A)の達成

著者 (10件)： 西村隼 (早稲田大 理工) ,  大井信敬 (早稲田大 理工) ,  岩瀧雅幸 (早稲田大 理工) ,  露崎活人 (早稲田大 理工) ,  大久保智 (早稲田大 理工) ,  蔭浦泰資 (早稲田大 理工) ,  平岩篤 (早稲田大 理工) ,  平岩篤 (名大 未来研) ,  川原田洋 (早稲田大 理工) ,  川原田洋 (早大 材研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.11p-M113-3  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 縦型デバイスは、横型デバイスに比べ集積化が可能であり、高耐圧/低オン抵抗・大電流動作に優位である。そのため縦型デバイスの開発はパワーデバイス応用において必要不可欠である。我々はC-H終端構造及び高温ALD-Al2O3[1]により面方位に依存...【本文一部表示】

シソーラス用語： *二次元電子ガス ,  *ダイヤモンド ,  *MOSFET ,  幅 ,  縦型 ,  特性 ,  電流 ,  半導体素子 ,  *二次元正孔ガス ,  大電流 ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： ゲート幅 ,  トランスファー特性 ,  パワーデバイス

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 縦型 ,  ダイヤモンド ,  MOSFET ,  ゲート幅 ,  大電流