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J-GLOBAL ID：201902229061862000   整理番号：19A0524263

高出力SiおよびSiCモジュールの応用に関する実用的考察【JST・京大機械翻訳】

Practical considerations for the application of high power Si and SiC modules

著者 (2件)： Donlon John (POWEREX, INC.) ,  Motto Eric (POWEREX, INC.)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ECCE  ページ： 1-173  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： IGBTモジュールは,IGBTを含むプラスチックパッケージと,便利な回路構成に配置されたフリーホイールダイオードチップである。典型的に,それらは容易なヒートシンク実装を可能にするために孤立したベースを持っている。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ダイオード ,  *ケイ素 ,  IGBT ,  ヒートシンク ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： 回路構成 ,  プラスチックパッケージ ,  *高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高出力 ,  Si ,  SiC ,  モジュール ,  応用