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J-GLOBAL ID：201902229163289545   整理番号：19A0258876

効果的な界面カップリングによるg-C_3N_4/BiPO_4ヘテロ接合の増強された光触媒活性に関する新しい理解【JST・京大機械翻訳】

New Understanding on Enhanced Photocatalytic Activity of g-C₃N₄/BiPO₄ Heterojunctions by Effective Interfacial Coupling

著者 (7件)： Ma Xinguo (School of Science, Hubei University of Technology) ,  Ma Xinguo (Hubei Collaborative Innovation Center for High-Efficiency Utilization of Solar Energy, Hubei University of Technology) ,  Hu Jisong (School of Science, Hubei University of Technology) ,  He Hua (School of Science, Hubei University of Technology) ,  Dong Shijie (School of Science, Hubei University of Technology) ,  Huang Chuyun (School of Science, Hubei University of Technology) ,  Chen Xiaobo (Department of Chemistry, University of Missouri-Kansas City, Missouri, United States)
資料名： ACS Applied Nano Materials  (ACS Applied Nano Materials)
巻： 1  号： 10  ページ： 5507-5515  発行年： 2018年 
JST資料番号： W5033A  ISSN： 2574-0970  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： g-C_3N_4/BiPO_4ヘテロ接合は実験的に高い光触媒性能を示したが,界面における層間相互作用とエネルギー準位の関連性に関する理解は満足できるものではない。ここでは,g-C_3N_4/BiPO_4界面におけるエネルギー準位アラインメントを,半経験的分散補正スキームを組み込んだ第一原理計算により系統的に調べた。結果は,化学吸着による安定した界面が,g-C_3N_4とBiPO_4の間で形成できることを示した。興味あることに,g-C_3N_4/BiPO_4界面における典型的なタイプIIバンド配列を,エネルギーバンド構造と仕事関数の解析に基づいて見出した。ここで,BiPO_4層の価電子帯と伝導帯端は,それぞれ,BiPO_4とg-C_3N_4の実際の接触後のg-C_3N_4層のものより高い。特に,電荷密度差とMulliken母集団の両方が,界面平衡後にg-C_3N_4からBiPO_4への方向により内蔵電場が形成され,光誘起e-/h+対の分離を容易にすることを示した。加えて,g-C_3N_4の導入が光収穫を促進することがわかった。本研究は,g-C_3N_4/BiPO_4ヘテロ接合の観測された増強された光触媒活性に関する洞察力のある情報を提供した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  仕事関数 ,  *光触媒 ,  アラインメント ,  *界面 ,  *触媒活性 ,  伝導バンド ,  電場 ,  化学吸着 ,  価電子バンド ,  エネルギー準位
準シソーラス用語： 光誘起 ,  電荷密度 ,  第一原理計算 ,  *光触媒活性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 光触媒 ,  ヘテロ接合 ,  層間相互作用 ,  電子構造 ,  BiPO_4

分類 (2件)： 光化学反応  (CB08020F) ,  その他の触媒  (CB06123Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： 界面 ,  カップリング ,  ヘテロ接合 ,  増強 ,  光触媒活性 ,  理解