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J-GLOBAL ID：201902229312843215   整理番号：19A1888423

フッ素による自然酸化物/InAs界面の不動態化機構【JST・京大機械翻訳】

Passivation Mechanism of the Native Oxide/InAs Interface by Fluorine

著者 (9件)： Valisheva N. A. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, SB RAS, Russian Federation) ,  Bakulin A. V. (Institute of Strength Physics and Materials Science, SB RAS, Russian Federation) ,  Bakulin A. V. (Tomsk State University, Russian Federation) ,  Aksenov M. S. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, SB RAS, Russian Federation) ,  Aksenov M. S. (Novosibirsk State University, Russian Federation) ,  Khandarkhaeva S. E. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, SB RAS, Russian Federation) ,  Khandarkhaeva S. E. (Novosibirsk State University, Russian Federation) ,  Kulkova S. E. (Institute of Strength Physics and Materials Science, SB RAS, Russian Federation) ,  Kulkova S. E. (Tomsk State University, Russian Federation)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 38  ページ： 20744-20750  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： XPS,HRTEM,C-V(77K)測定による陽極層(AL)/InAs界面の構造的及び電子的性質に及ぼすフッ素/酸素比の比較実験及び理論的研究及びInAs(111)-a-(1×1)非再構成表面上のフッ素及び酸素吸着のab initio計算を行った。インジウムとヒ素オキシフッ化物から成る良く秩序化した遷移層(TL)とフッ素化陽極層(FAL)/InAs界面における面間距離の拡張を実験的に明らかにした。AL/InAsとFAL/InAs界面の理論モデリングは,フッ素化TR形成がInAs表面歪を除去する一方,In-(InAs)-F-As-(FAL)とIn-(InAs)-O-As-(FAL)結合形成がFALとInAs表面間の面間距離増加の理由であることを示した。InAsバンドギャップにおける界面状態密度の減少とFAL/InAs界面でのFermi準位のピン止めはAs-F結合形成中のInAs表面近傍のFALヒ素原子上の正電荷増加から生じ,一方,酸素原子とInAs表面下ヒ素原子上の電子蓄積は陽極(自然)酸化物/InAs界面でのInAsバンドギャップの状態出現の理由である。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  バンドギャップ ,  Fermi準位 ,  フッ素化 ,  アノード ,  ヒ素 ,  *フッ素 ,  *酸化物 ,  インジウム ,  再構成 ,  モデリング ,  *界面 ,  酸素 ,  *不動態化
準シソーラス用語： 第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： フッ素 ,  自然酸化物 ,  InAs ,  界面 ,  不動態化