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J-GLOBAL ID：201902229340754590   整理番号：19A2770487

外部共振器レーザのためのジュール熱同調による窒化ケイ素Bragg格子【JST・京大機械翻訳】

Silicon Nitride Bragg Grating with Joule Thermal Tuning for External Cavity Lasers

著者 (10件)： Primiani Peppino (III-V lab.; Cordon Italy; CEA-LETI Univ. Grenoble Alpes, F38000 Grenoble, France) ,  van Dijk Frederic (III-V lab, a joint lab between Nokia Bell Labs France, Thales Research and Technology France and CEA-LETI, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France) ,  Boust Sylvain (III-V lab, a joint lab between Nokia Bell Labs France, Thales Research and Technology France and CEA-LETI, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France) ,  Fedeli Jean-Marc (III-V lab, a joint lab between Nokia Bell Labs France, Thales Research and Technology France and CEA-LETI, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France) ,  Duport Francois (III-V lab, a joint lab between Nokia Bell Labs France, Thales Research and Technology France and CEA-LETI, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France) ,  Gomez Carmen (III-V lab, a joint lab between Nokia Bell Labs France, Thales Research and Technology France and CEA-LETI, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France) ,  Paret Jean-Francois (III-V lab, a joint lab between Nokia Bell Labs France, Thales Research and Technology France and CEA-LETI, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France) ,  Garreau Alexandre (III-V lab, a joint lab between Nokia Bell Labs France, Thales Research and Technology France and CEA-LETI, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France) ,  Mekhazni Karim (III-V lab, a joint lab between Nokia Bell Labs France, Thales Research and Technology France and CEA-LETI, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France) ,  Fortin Catherine (III-V lab, a joint lab between Nokia Bell Labs France, Thales Research and Technology France and CEA-LETI, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： IPC  ページ： 1-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,シリコンウエハ上にシリカに埋め込まれた窒化ケイ素に基づく作製プラットフォームを提示した。長Bragg格子を狭線幅レーザ用に作製した。エッチングしたファセットチップを持つ狭いストップバンド(0.2nm)Bragg格子をこのプラットフォームで実現した。ヒータは1.5nm以上のBragg波長の同調を可能にするチップ上に集積した。レーザを得て,これらBragg格子の一つを反射半導体光増幅器(R-SOA)に結合することにより試験した。これらのレーザ共振器において,0.16nmの連続同調範囲と1.5nmの不連続同調範囲を得た。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *同調 ,  ファセット ,  加熱器 ,  *窒化ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  レーザ共振器 ,  不連続性 ,  *レーザ
準シソーラス用語： 同調範囲 ,  阻止帯域 ,  線幅 ,  シリコンウエハ ,  *Bragg格子 ,  Joule熱 ,  *外部共振器 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 外部共振器 ,  レーザ ,  ジュール熱 ,  同調 ,  窒化ケイ素 ,  Bragg格子