文献

J-GLOBAL ID：201902229453985501   整理番号：19A1629177

77~300Kの温度範囲における雲母およびポリイミド基板上のBi_1-_xSb_x膜(0≦x≦0.15)の熱起電力【JST・京大機械翻訳】

The Thermoelectric Power of Bi_{1 - x} Sb _x Films (0 ≦ x ≦ 0.15) on Mica and Polyimide Substrates in the Temperature Range of 77-300 K

著者 (6件)： Suslov M. V. (Herzen State Pedagogical University of Russia (Herzen University), St. Petersburg, Russia) ,  Grabov V. M. (Herzen State Pedagogical University of Russia (Herzen University), St. Petersburg, Russia) ,  Komarov V. A. (Herzen State Pedagogical University of Russia (Herzen University), St. Petersburg, Russia) ,  Demidov E. V. (Herzen State Pedagogical University of Russia (Herzen University), St. Petersburg, Russia) ,  Senkevich S. V. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia) ,  Suslov A. V. (Herzen State Pedagogical University of Russia (Herzen University), St. Petersburg, Russia)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 53  号： 5  ページ： 589-592  発行年： 2019年 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 77~300Kの温度範囲における雲母とポリイミド基板上の厚さが100~1000nmの薄いブロックBi_1-_xSb_x膜(0≦x≦0.15)の熱起電力に関する研究の結果を示した。熱電力を測定するとき,膜-基板システムにおける歪歪を除く方法を用いた。構造,熱電力の温度依存性,薄膜の抵抗率を解析し,力率を推定した。雲母とポリイミド基板上の膜の熱電能と抵抗率の温度依存性の特性の違いを見出した。この違いは,膜と基板材料の熱膨張の差による膜-基板系に現れる歪の影響下でのバンド構造パラメータの変化によって説明される。Copyright 2019 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気抵抗率 ,  *雲母 ,  温度依存性 ,  熱膨張 ,  *ポリイミド ,  *熱起電力 ,  構造パラメータ ,  力率 ,  薄膜
準シソーラス用語： 基板材料 ,  熱電能 ,  *温度範囲 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 温度範囲 ,  雲母 ,  ポリイミド ,  熱起電力