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J-GLOBAL ID：201902229706498559   整理番号：19A1887877

エピタキシャルテトラフルオロテトラシアノキノジメタン膜における拡張空間電荷領域と非占有分子バンド形成【JST・京大機械翻訳】

Extended Space Charge Region and Unoccupied Molecular Band Formation in Epitaxial Tetrafluorotetracyanoquinodimethane Films

著者 (3件)： Gerbert David (Physikalisch-Chemisches Institut, Ruprecht-Karls-Universitaet Heidelberg, Germany) ,  Maass Friedrich (Physikalisch-Chemisches Institut, Ruprecht-Karls-Universitaet Heidelberg, Germany) ,  Tegeder Petra (Physikalisch-Chemisches Institut, Ruprecht-Karls-Universitaet Heidelberg, Germany)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 29  ページ： 15696-15701  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無機/有機界面及び分子膜内で明確な分子構造を生成することは電荷キャリア輸送及び有機分子ベース(オパール)-電子デバイスの性能にとって基本的である。ここでは,低エネルギー電子回折により,テトラフルオロテトラシアノ-キノジメタン(F_4TCNQ)がAu(111)表面上のエピタキシャル様式で成長し,1分子からなる単位胞をもたらすことを示した。この良く秩序化した結晶膜において,エネルギーおよび角度分解二光子光電子放出を用いて,拡張空間電荷領域の形成および分散非占有電子分子状態を見出した。後者の発見は結晶性分子構造におけるバンド形成の明確な証拠である。F_4TCNQの高い電子親和性とバンド状電子輸送が空間電荷領域の形成の原因であることを示唆した。F_4TCNQを正孔注入層として用いることにより,F_4TCNQ層の厚さの変化を介して制御された方法で正孔注入障壁を操作する機会を開くことができる。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  オパール ,  電子親和力 ,  *エピタクシー ,  *空乏層 ,  結晶度 ,  結晶 ,  分子構造 ,  光電子放出 ,  低速電子回折
準シソーラス用語： 正孔注入 ,  電子輸送 ,  単位格子 ,  電子素子 ,  電荷キャリア , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 分子化合物  (CE02000C) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシャル ,  テトラフルオロテトラシアノキノジメタン ,  拡張 ,  空間電荷領域 ,  分子 ,  バンド