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J-GLOBAL ID:201902229976598486   整理番号:19A1409660

CaF_2基板上のFeSe薄膜の界面構造とその超伝導性能への影響【JST・京大機械翻訳】

The Interface Structure of FeSe Thin Film on CaF2 Substrate and its Influence on the Superconducting Performance
著者 (10件):
資料名:
巻:号: 42  ページ: 37446-37453  発行年: 2017年10月25日 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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種々の基板上のセレン化鉄(FeSe)薄膜における界面への研究は,このユニークな系における高温超伝導を示す大きな可能性を明らかにした。本研究では,フッ化カルシウム(CaF_2)(100)基板上に一連の厚さのFeSe薄膜を得て,走査型透過型電子顕微鏡(STEM)を用いてFeSe/CaF_2界面からの詳細な情報を得た。興味深いことに,すべての試料においてFeSeとCaF_2の間に約3nmの厚さをもつセレン化カルシウム(CaSe)中間層の普遍的存在を見出した。これはFeSe層の厚さに無関係である。CaSe中間層の形成によりFeSe層中にわずかなSe欠陥が生じた。このSe欠乏は,FeSeからの化学量論的偏差が超伝導を抑制するのに十分大きい超薄FeSe膜(厚さ8nm)の場合を除いて一般的に無視できる。一方,非常に厚いFeSe層(厚さ160nm)では,巨大な析出物が見出され,Feリッチ相として認識され,超伝導の劣化をもたらす。結果として,FeSe薄膜の超伝導転移温度(T_c)の厚さ依存性を研究し,著者らの大気安定FeSe薄膜(127nm)の一つは,実際の厚さをもつFeSe薄膜のクラスの記録において,15.1K/13.4Kという最高のT_c~開始/T_c~ゼロを有していた。著者らの結果は,高分解能STEMによるFeSe薄膜の超伝導機構を調べるための新しい展望を提供する。さらに,FeSe/CaF_2界面の品質を改善する可能性のあるアプローチも,このシステムにおける超伝導性能をさらに向上させるために提案した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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二次電池  ,  太陽電池  ,  電気化学反応 
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