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J-GLOBAL ID：201902230040394231   整理番号：19A2880678

安定なp型2D材料の合成とオプトエレクトロニクス応用:α-MnS【JST・京大機械翻訳】

Synthesis and Optoelectronic Applications of a Stable p-Type 2D Material: α-MnS

著者 (17件)： Li Ningning (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, P. R. China) ,  Li Ningning (Sino-Danish College, University of Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Li Ningning (Sino-Danish Center for Education and Research, P. R. China) ,  Zhang Yu (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, P. R. China) ,  Zhang Yu (School of Physics and Technology, Wuhan University, P. R. China) ,  Cheng Ruiqing (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, P. R. China) ,  Wang Junjun (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, P. R. China) ,  Li Jie (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, P. R. China) ,  Wang Zhenxing (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, P. R. China) ,  Sendeku Marshet Getaye (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, P. R. China) ,  Huang Wenhao (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, P. R. China) ,  Yao Yuyu (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, P. R. China) ,  Yao Yuyu (Sino-Danish College, University of Chinese Academy of Sciences, P. R. China) ,  Yao Yuyu (Sino-Danish Center for Education and Research, P. R. China) ,  Wen Yao (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, P. R. China) ,  He Jun (CAS Center for Excellence in Nanoscience, CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, P. R. China) ,  He Jun (School of Physics and Technology, Wuhan University, P. R. China)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 13  号： 11  ページ： 12662-12670  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2.7eVの広いバンドギャップをもつ非層状p型材料としてのα-MnSは,原子的に薄いp-n接合を構築するために必要とされる二次元(2D)p型半導体の不足を補うことが期待されている。しかし,2Dα-MnSの調製と特性研究はこれまでほとんど報告されていない。ここでは,容易な化学蒸着(CVD)法により,4.78nmまでの超薄大規模α-MnS単結晶の制御合成を報告する。重要なことに,合成したままのα-MnSナノシートに基づくトップゲート電界効果トランジスタは,10~6を超える超高/オフ比をもつp型輸送挙動を示し,大部分の報告されたp型2D材料を上回った。一方,α-MnSフォトトランジスタは,3.2×10~14Jonesの超高検出能と,139A/Wの優れた光応答性と12msの高速応答時間を示した。また,合成したままのα-MnSナノシートにおいて,優れた環境安定性と許容できる柔軟性が示された。本研究は,種々のp型2D材料に対するCVD合成戦略の範囲を広げ,エレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクスにおけるそれらの重要な応用可能性を実証した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  *電子技術 ,  半導体 ,  *二次元 ,  FET【トランジスタ】 ,  化学蒸着 ,  柔軟性 ,  *オプトエレクトロニクス ,  ナノシート ,  フォトトランジスタ ,  PN接合 ,  単結晶
準シソーラス用語： 高速応答 ,  光応答 ,  トップゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： α-MnS ,  2D材料 ,  p型輸送挙動 ,  空気安定性 ,  フォトトランジスタ

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 2D ,  オプトエレクトロニクス ,  応用