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J-GLOBAL ID：201902230052455296   整理番号：19A0579768

音響表面波圧電薄膜ヘテロダイヤモンド構造の研究【JST・京大機械翻訳】

Structure of piezoelectric thin film heterogeneous diamond with high frequency surface acoustic wave filter

著者 (10件)： Zhang Dong (沈陽工程学院新能源学院,沈陽,110136) ,  Liu Quan (沈陽工程学院新能源学院,沈陽,110136) ,  Ma Xuesong (沈陽工程学院新能源学院,沈陽,110136) ,  Su Yuanyuan (沈陽工程学院新能源学院,沈陽,110136) ,  Liu Jiaxin (沈陽工程学院新能源学院,沈陽,110136) ,  Gao Shihai (沈陽工程学院新能源学院,沈陽,110136) ,  Liu Yuhao (沈陽工程学院新能源学院,沈陽,110136) ,  Ding Cheng (沈陽工程学院新能源学院,沈陽,110136) ,  Sun Wen (沈陽工程学院新能源学院,沈陽,110136) ,  Dong Wenchao (沈陽工程学院新能源学院,沈陽,110136)
資料名： Shenyang Shifan Daxue Xuebao (Ziran Kexue Ban)  (Shenyang Shifan Daxue Xuebao (Ziran Kexue Ban))
巻： 36  号： 5  ページ： 391-394  発行年： 2018年 
JST資料番号： C3230A  ISSN： 1673-5862  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 電子サイクロトロン共鳴プラズマ増強金属有機化学蒸着(ECR-PEMOCVD)を用いて、自立ダイヤモンド厚膜上に窒化ガリウム(GaN)薄膜材料を作製した。トリメチルガリウム(TMGa)と窒素(N2)を反応源とし、N2流量条件を変えて、高品質のGaN薄膜の堆積を実現した。実験終了後,X線回折(XRD),原子間力顕微鏡(AFM),電子プローブ(EPMA)及びHall測定(HL)を用いて,GaN薄膜の性質に及ぼすN2流量の影響を体系的に調べた。結果により、適切なN2流量条件下で、優れた構造と電気的性質を有し、優れた表面形態を有するGaN薄膜サンプルが作製でき、また、ガリウムと窒素原子がGaN薄膜の電気的性質に重要な役割を果たしていることが分かった。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 流量 ,  電子プローブ ,  *薄膜 ,  厚膜 ,  *弾性表面波 ,  X線回折 ,  ECRプラズマ ,  *ダイヤモンド ,  窒化ガリウム ,  MOCVD ,  原子間力顕微鏡 ,  電気的性質 ,  ガリウム
準シソーラス用語： 表面形態 ,  高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 音響表面波 ,  圧電薄膜 ,  研究