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J-GLOBAL ID：201902230082692698   整理番号：19A2900215

有機金属化学蒸着により成長させた低抵抗InGaN膜【JST・京大機械翻訳】

Low resistive InGaN film grown by metalorganic chemical vapor deposition

著者 (11件)： Shrestha Niraj Man (Department of Electrical and Computer Engineering, National Chiao Tung University, 1001 University Road, Hsinchu, 300, Taiwan) ,  Shrestha Niraj Man (The Center for mmWave Smart Radar System and Technologies, National Chiao Tung University, 1001 University Road, Hsinchu, 300, Taiwan) ,  Chauhan Prerna (Department of Material Science and Engineering, National Chiao Tung University, 1001 University Road, Hsinchu, 300, Taiwan) ,  Wong Yuen-Yee (Department of Material Science and Engineering, National Chiao Tung University, 1001 University Road, Hsinchu, 300, Taiwan) ,  Li Yiming (Department of Electrical and Computer Engineering, National Chiao Tung University, 1001 University Road, Hsinchu, 300, Taiwan) ,  Li Yiming (The Center for mmWave Smart Radar System and Technologies, National Chiao Tung University, 1001 University Road, Hsinchu, 300, Taiwan) ,  Samukawa Seiji (Department of Electrical and Computer Engineering, National Chiao Tung University, 1001 University Road, Hsinchu, 300, Taiwan) ,  Samukawa Seiji (Institute of Fluid Science, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Samukawa Seiji (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki, 305-8568, Japan) ,  Samukawa Seiji (The Center for mmWave Smart Radar System and Technologies, National Chiao Tung University, 1001 University Road, Hsinchu, 300, Taiwan) ,  Chang Edward Yi (Department of Material Science and Engineering, National Chiao Tung University, 1001 University Road, Hsinchu, 300, Taiwan)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 171  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 温度,圧力およびアンモニア流のような種々の成長条件下で有機金属化学蒸着(MOCVD)により低温GaNバッファを用いてサファイア基板上に窒化インジウムガリウム(InGaN)試料を成長させた。高いインジウム組成はシートキャリア濃度(n_s)と低いシート抵抗(R_s)に対する不可欠なパラメータと考えられるが,著者らの結果はInGaN膜中のより高いインジウム組成が常に高いn_sと低いR_sを持たないことを明らかにした。電子の主要な捕獲サイトである炭素関連欠陥のアクセプタ特性は,低圧,低温,低アンモニア流で特別に成長させたInGaN中のキャリア濃度を制限するために重要な役割を果たす。さらに,伝送線路法(TLM)により成長した試料上に堆積した金属接触の研究は,キャリア濃度が低い接触抵抗を得るための最も重要な因子であることを示した。4.5×10~16cm2キャリア濃度の試料に対する測定接触抵抗は0.13Ωmmであり,MOCVDにより成長させたGaN系材料に対する最低接触抵抗の中にあった。これは,ソースおよびドレイン接触領域におけるInGaNの使用が,接触抵抗を単一に低減し,AlGaN/GaNデバイスのデバイス性能を著しく改善することを証明した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 捕獲 ,  インジウム ,  接触抵抗 ,  低圧 ,  シート抵抗 ,  低温 ,  *MOCVD ,  アクセプタ ,  アンモニア ,  キャリア密度 ,  *窒化ガリウム ,  伝送線路
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  サファイア基板 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： 接触抵抗 ,  InGaN ,  MOCVD ,  シート濃度 ,  シート抵抗 ,  インジウム組成 ,  組込み効率 ,  炭素濃度

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 有機金属化学蒸着 ,  成長 ,  低抵抗 ,  InGaN