水素貯蔵における脱着温度を制御する磁気モーメント:高容量水素貯蔵媒体としてのジルコニウムをドープしたグラフェンの場合【JST・京大機械翻訳】

Yadav A.; Chakraborty Brahmananda; Gangan Abhijeet; Patel N.; Press M. R.; Ramaniah Lavanya M.

文献

J-GLOBAL ID：201902230559129055 整理番号：19A1887986

水素貯蔵における脱着温度を制御する磁気モーメント:高容量水素貯蔵媒体としてのジルコニウムをドープしたグラフェンの場合【JST・京大機械翻訳】

Magnetic Moment Controlling Desorption Temperature in Hydrogen Storage: A Case of Zirconium-Doped Graphene as a High Capacity Hydrogen Storage Medium

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=19A1887986&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=19A1887986&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W1877A") }}

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 121 号： 31 ページ： 16721-16730 発行年： 2017年
JST資料番号： W1877A ISSN： 1932-7447 CODEN： JPCCCK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

初めて,グラフェン表面に付着した単一Zr原子が平均結合エネルギー0.34eV,平均脱着温度433Kで最大9H_2分子を吸着することを密度汎関数理論により予測した。システムの磁気モーメント(μ)によるH_2分子の脱着温度(T_D)の依存性を,経験的関係T_D=T_0+aμ~b(T_0=399K,a=302.38J~-1TKおよびb=0.5)を定式化することによって排他的に研究した。大きな磁気モーメントをもつ系に対して,水素分子への電荷移動はより高く,より高い脱着温度(DoEによる水素貯蔵に対する規定限界より高い)をもたらす。磁気モーメントが減少すると,T_Dは燃料電池応用のための望ましい窓になる。この研究から,ドーピングを通してシステムの磁気特性を制御することは,望ましい窓にT_Dをもたらす効果的な方法である可能性があると推論することができる。部分的状態密度とBader電荷移動の解析により,グラフェン表面上のZrの相互作用機構とZr修飾グラフェンの水素貯蔵能力を定性的に広く実証した。GGA交換相関(系に結合するLDA)を用いて,ab initio MDシミュレーションを通して安定性をチェックし,金属-金属クラスタ化を避けるための拡散障壁を計算した。そして,システムの水素wt%(11wt%)は脱着温度(433K)でDoEの必要条件(6.5wt%)より高く,燃料電池応用に非常に適していると予測した。Zrドープグラフェンは高容量水素貯蔵装置として調整できる。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , , , , , , ,
, 【Automatic Indexing@JST】

炭素とその化合物 , 固体中の拡散一般

, , , , , ,

前のページに戻る