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J-GLOBAL ID：201902230566503270   整理番号：19A1416559

In(Ga)As/InAsSb超格子赤外検出器のための修正電子ビーム誘起電流法【JST・京大機械翻訳】

Modified electron beam induced current technique for in(Ga)As/InAsSb superlattice infrared detectors

著者 (7件)： Yoon N. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA) ,  Reyner C. J. (Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson Air Force Base, Ohio 45433, USA) ,  Ariyawansa G. (Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson Air Force Base, Ohio 45433, USA) ,  Duran J. M. (Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson Air Force Base, Ohio 45433, USA) ,  Scheihing J. E. (Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson Air Force Base, Ohio 45433, USA) ,  Mabon J. (Frederick Seitz Materials Research Laboratory, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, Illinois 61801, USA) ,  Wasserman D. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 7  ページ： 074503-074503-10  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Electronビーム誘起電流(EBIC)測定は半導体ベースの材料とデバイスを特性化するための強力なツールを提供する。走査電子顕微鏡(SEM)の電子ビームにより発生する電流を測定することにより,EBICは少数キャリア拡散長(L)と表面再結合速度を材料の拡散率比(S/D)に抽出することを可能にした。少数キャリア寿命(τ)に関する情報と組み合わせると,例えば時間分解光ルミネセンス測定から,材料の少数キャリア移動度を抽出できる。しかし,EBIC技術はキャリア生成と収集プロセスの正確なモデリングに大きく依存している。伝統的に,これは,キャリア収集のためのキャリア発生と解析的拡散/再結合表現のための経験的解析表現(および後のモンテカルロシミュレーション)の組合せを用いて達成された。このアプローチは抽出された材料パラメータに有意な不確実性を導入する。ここでは,入射ビームエネルギーと電流の関数として相対的EBIC信号に関する情報を保持しながら,著者らのモデルの空間分解能を改善するEBICモデリングへの数値的アプローチを提示した。この方法を用いて,InAs/InAsSbとInGaAs/InAsSb歪層超格子赤外検出器の温度依存少数キャリア移動度を調べ,同じ試料の外部量子効率測定を用いて得られた値と比較した。著者らのアプローチは,抽出された材料パラメータの不確実性の改善を可能にするだけでなく,非平衡キャリア濃度の関数としての材料とデバイス挙動への洞察も提供する。ここで示した技術は,赤外検出器だけでなく,半導体ベースのデバイスの範囲の潜在的に改善された特性化を提供する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア密度 ,  半導体 ,  キャリア移動度 ,  温度依存性 ,  キャラクタリゼーション ,  モデリング ,  非平衡状態 ,  電子顕微鏡観察 ,  電子線誘起電流 ,  再結合 ,  *電子ビーム ,  走査電子顕微鏡 ,  *赤外検出器 ,  *ヒ化インジウム ,  少数キャリア
準シソーラス用語： 外部量子効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ga ,  InAsSb ,  超格子 ,  赤外検出器 ,  電子ビーム ,  誘起