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J-GLOBAL ID：201902230591135933   整理番号：19A1408698

多層HfS_2電界効果トランジスタの性能に及ぼす金属接触の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of Metal Contacts on the Performance of Multilayer HfS₂ Field-Effect Transistors

著者 (8件)： Nie Xin-Ran (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, P. R. China) ,  Sun Bing-Qi (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, P. R. China) ,  Zhu Hao (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, P. R. China) ,  Zhang Min (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, P. R. China) ,  Zhao Dong-Hui (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, P. R. China) ,  Chen Lin (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, P. R. China) ,  Sun Qing-Qing (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, P. R. China) ,  Zhang David Wei (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, P. R. China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 32  ページ： 26996-27003  発行年： 2017年08月16日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HFS_2は新しい遷移金属ジカルコゲニドの一つであり,低電力ナノエレクトロニクスと高感度オプトエレクトロニクス素子応用に非常に有望である。第一原理シミュレーションにより異なる厚さの1T-HfS_2のバンド構造を研究し,HFS_2デバイス性能に対する異なる金属接触の影響を実験的に研究した。バックゲートとトップゲートHFS_2電界効果トランジスタ(FET)を作製し,Pt接触FETと比較してTi/Au接触を持つFETにより良好な電気特性を達成した。走査電子顕微鏡,原子間力顕微鏡およびRaman分光法を用いて金属/HFS_2界面を調べるために,PtおよびTi/Au膜の薄層をHFS_2フレーク上に堆積した。より滑らかなTi/Au膜がHFS_2上に形成され,より高いキャリア注入と輸送効率をもたらした。Ti/Au接触領域での界面化学結合により支配されるフォノン挙動を,二層HFS_2からのより敏感なA_1gフォノンモードで確認した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,  第一原理 ,  *多層 ,  *金 ,  フォノン ,  白金 ,  *金属 ,  チタン ,  フレーク ,  シミュレーション ,  薄膜 ,  電子顕微鏡観察 ,  界面 ,  *FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： 二層 ,  ナノエレクトロニクス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： HFS2 ,  金属接触 ,  電界効果トランジスタ ,  トップゲート ,  界面

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 多層 ,  電界効果トランジスタ