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J-GLOBAL ID:201902230805354746   整理番号:19A2293758

緑色発光半導体の材料設計:ペロブスカイト型硫化物SrHF_3【JST・京大機械翻訳】

Material Design of Green-Light-Emitting Semiconductors: Perovskite-Type Sulfide SrHfS3
著者 (6件):
資料名:
巻: 141  号: 13  ページ: 5343-5349  発行年: 2019年 
JST資料番号: C0254A  ISSN: 0002-7863  CODEN: JACSAT  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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発光素子に直面する現在の問題は,緑色発光のための適切な材料である。これを克服するため,(i)深い伝導帯極小(CBM)と浅い価電子帯最大(VBM),(ii)電子伝導率とキャリア極性の良好な制御性,(iii)緑色発光に対応する直接許容バンドギャップを調べた。初期遷移金属(ETM)系ペロブスカイトに焦点を当てた。ETMカチオンの高くて安定な原子価状態はそのキャリア可制御性を容易にし,深いCBMと浅いVBMを構成するETMの非結合d軌道とアニオンのp軌道はそれぞれn型とp型ドーピングに有利である。直接バンドギャップを得るために,CBMが現れるゾーン中心に対するゾーン境界でVBMを構成するバンドを折畳むスキームを適用した。斜方晶SrHfS_3を候補として選択した。電気伝導率は,ランタン(La)ドーピングにより6×10~7~7×10~-1S・cm-1,リン(P)ドーピングにより2×10~-4S・cm-1に調節された。同時に,主キャリア極性はLaドーピングによりn型に,Pドーピングによりp型に制御された。アンドープおよびドープSrHfS_3の両方は,2.37eVで強い緑色光ルミネセンス(PL)を示した。PL青方偏移と短寿命から,バンドからバンドへの遷移及び/又は励起子への発光を帰属した。これらの結果は,SrHfS_3が有望な緑色発光半導体であることを実証した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
分類
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有機化合物のルミネセンス  ,  錯体のルミネセンス  ,  四環以上の炭素縮合多環化合物  ,  分子化合物  ,  第11族,第12族元素の錯体 
タイトルに関連する用語 (4件):
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