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J-GLOBAL ID：201902230954491174   整理番号：19A1889130

有機再結合層を持つモノリシック広帯域ギャップペロブスカイト/ペロブスカイトタンデム太陽電池【JST・京大機械翻訳】

Monolithic Wide Band Gap Perovskite/Perovskite Tandem Solar Cells with Organic Recombination Layers

著者 (11件)： Sheng Rui (Australian Centre for Advanced Photovoltaics (ACAP), School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Australia) ,  Hoerantner Maximilian T. (Department of Physics, University of Oxford, U.K.) ,  Wang Zhiping (Department of Physics, University of Oxford, U.K.) ,  Jiang Yajie (Australian Centre for Advanced Photovoltaics (ACAP), School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Australia) ,  Zhang Wei (Advanced Technology Institute, University of Surrey, U.K.) ,  Agosti Amedeo (Department of Materials, ETH Zurich, Switzerland) ,  Huang Shujuan (Australian Centre for Advanced Photovoltaics (ACAP), School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Australia) ,  Hao Xiaojing (Australian Centre for Advanced Photovoltaics (ACAP), School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Australia) ,  Ho-Baillie Anita (Australian Centre for Advanced Photovoltaics (ACAP), School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Australia) ,  Green Martin (Australian Centre for Advanced Photovoltaics (ACAP), School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Australia) ,  Snaith Henry J. (Department of Physics, University of Oxford, U.K.)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 49  ページ： 27256-27262  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： より高いバンドギャップ(2.3eV)CH_3NH_3PbBr_3サブセルと低バンドギャップ(1.55eV)CH_3NH_3PbI_3サブセルバンドギャップペロブスカイトセルを,溶液処理有機電荷キャリア再結合層との共役で連続的に堆積させることによりモノリシックタンデム太陽電池を実証した。これは二つのサブセルの電圧付加を可能にする。低損失直列接続により,1.96Vの大きな開回路電圧を達成した。光学的および電子的モデリングを通して,この素子アーキテクチャの実現可能な効率を25.9%と推定し,最良のクラスのCH_3NH_3PbI_3サブセルと最適化した光学構造を持つ2.05eVワイドバンドギャップペロブスカイトセルを統合することにより達成可能である。以前に報告された全ペロブスカイトスカイトタンデム電池と比較して,Snベースのペロブスカイトより広いバンドギャップを持つが,Sn2+イオンの不安定な電荷状態による不安定性のリスクはない。さらに,本研究で用いたバンドギャップの組合せは,シリコン上の三重接合セルの利点となり得る。著者らの発見は,広いバンドギャップの全ペロブスカイト型タンデムが,より高い効率のペロブスカイト薄膜太陽電池のための実行可能なデバイス構造であることを示している。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 接合 ,  素子構造 ,  スズ ,  ケイ素 ,  *電池 ,  電圧 ,  *広帯域 ,  最適化 ,  モデリング ,  直列接続 ,  不安定性 ,  バンドギャップ ,  共役
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  *タンデム太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  非遷移金属元素の錯体  (CE01030C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 結合層 ,  広帯域 ,  ギャップ ,  ペロブスカイト ,  タンデム太陽電池