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J-GLOBAL ID:201902230985116100   整理番号:19A1554502

Z偏光Raman顕微鏡により評価したSiC基板上のエピタキシャルグラフェン単分子層の縦歪【JST・京大機械翻訳】

Longitudinal strain of epitaxial graphene monolayers on SiC substrates evaluated by z-polarization Raman microscopy
著者 (7件):
資料名:
巻:号:ページ: 065314-065314-6  発行年: 2019年 
JST資料番号: U7121A  ISSN: 2158-3226  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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SiC基板上に成長させたエピタキシャル単層グラフェン(EMG)の縦歪をz偏光Raman顕微鏡により評価した。グラフェンと基板の間の界面で形成された共有結合により,強い圧縮歪がEMG上に負荷され,Raman分光法により高感度に検出された。偏光Raman顕微鏡を縦方向(z偏光)歪と横方向(xy偏光)を評価するために特別に設計した。z偏光Raman顕微鏡は,サブミクロン空間分解能マッピングにより,SiC-グラフェンにおける局所歪のゆらぎと試料形態の間の関係を明らかにした。Ramanシフトとその空間不均一性を通して推定された歪の量は電子の移動度に重要な影響を持ち,それはEMGの将来のデバイス応用に必須である。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (4件):
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金属結晶の磁性  ,  その他の無機化合物の磁性  ,  酸化物結晶の磁性  ,  セラミック・陶磁器の製造 

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