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J-GLOBAL ID:201902230998440342   整理番号:19A2617674

二次元材料と統合したシリコンメタ表面からの第二高調波と和周波数発生【JST・京大機械翻訳】

Second Harmonic and Sum-Frequency Generations from a Silicon Metasurface Integrated with a Two-Dimensional Material
著者 (8件):
資料名:
巻:号:ページ: 2252-2259  発行年: 2019年 
JST資料番号: W5045A  ISSN: 2330-4022  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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シリコンに基づく非線形メタ表面は,結晶中心対称性のために三次非線形性だけで実現され,効率はかなり低く,低出力レーザによるそれらの実用化を妨げる。ここでは,第二高調波発生(SHG)と和周波数発生(SFG)を含む高効率二次非線形過程を支援するために,二次元GaSeフレークをシリコンメタ表面上に集積することを提案した。Fano共鳴を支持する集積GaSeメタ表面を共鳴励起することにより,GaSe層における二次非線形過程が強く増強された。GaSeメタ表面から得られたSHGは,裸のシリコンメタ表面からの第三高調波発生よりも約二桁強い。さらに,共鳴場増強とGaSeの強い二次非線形性により,集積構造のSHGを低出力連続波レーザでうまく励起することができ,それによりSFGをさらに実装することが可能になった。二次元材料により支援された高効率二次非線形過程は,非線形領域におけるシリコンメタ表面の機能性を拡張する可能性を示す。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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表面の電子構造  ,  半導体のルミネセンス 

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